机构

• 半导体研究所 [13]
• 物理研究所 [1]
• 上海药物研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [10]
• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [13]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2007 [2]
• 2006 [5]
• 2005 [2]
• 2003 [3]
• 2002 [1]
• 2001 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [8]

筛选

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Unusual carrier thermalization in a dilute gaas1-xnx alloy 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: 3 作者:  Tan, P. H.;  Xu, Z. Y.;  Luo, X. D.;  Ge, W. K.;  Zhang, Y. 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Unusual carrier thermalization in a dilute GaAs1-xNx alloy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.061905 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/29 PHOTOLUMINESCENCE   Resonant raman scattering with the e+ band in a dilute gaas1-xnx alloy (x=0.1%) 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Tan, P. H.;  Xu, Z. Y.;  Luo, X. D.;  Ge, W. K.;  Zhang, Y. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Lifetime study of n impurity states in gaas1-xnx (x=0.1%) under hydrostatic pressure 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 20, 页码: 3 作者:  Wang, WJ;  Yang, XD;  Ma, BS;  Sun, Z;  Su, FH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 20, 页码: art.no.205205 Tan PH (Tan P. H.); Luo XD (Luo X. D.); Xu ZY (Xu Z. Y.); Zhang Y (Zhang Y.); Mascarenhas A (Mascarenhas A.); Xin HP (Xin H. P.); Tu CW (Tu C. W.); Ge WK (Ge W. K.) 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/04/11 HOT PHOTOLUMINESCENCE  GALLIUM-ARSENIDE  GAAS  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SCATTERING   Lifetime study of N impurity states in GaAs1-xNx (x=0.1%) under hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 20, 页码: art.no.201917 Wang WJ; Yang XD; Ma BS; Sun Z; Su FH; Ding K; Xu ZY; Li GH; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/04/11 PAIR LUMINESCENCE  GAP-N  GAAS  EXCITONS  ALLOY   Resonant Raman Scattering and Photoluminescence Emissions from Above Bandgap Levels in Dilute GaAsN Alloy 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 397-402 作者:  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Pressure behavior of the alloy band edge and nitrogen-related centers in gaas0.999n0.001 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2005, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: 9 作者:  Ma, BS;  Su, FH;  Ding, K;  Li, GH;  Zhang, Y 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Pressure behavior of the alloy band edge and nitrogen-related centers in GaAs0.999N0.001 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2005, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: art.no.045213 Ma BS; Su FH; Ding K; Li GH; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/03/17 ELECTRONIC-STRUCTURE   Alloy states in dilute gaas1-xnx alloys (x < 1%) 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 11, 页码: 1697-1699 作者:  Luo, XD;  Huang, JS;  Xu, ZY;  Yang, CL;  Liu, J 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12