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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 An Extraordinary Sulfonated-Graphenal-Polymer-Based Electrolyte Separator for All-Solid-State Supercapacitors 期刊论文  OAI收割 SMALL, 2016, 卷号: 12, 期号: 36 作者:  Liu, XB(刘旭博);  Men, CL;  Zhang, XH(张骁骅);  Li, QW(李清文) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Characterization of bonded silicon-on-aluminum-nitride wafers with RBS, TEM and HRXRD techniques 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 8, 页码: 1807-1810 Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 BEAM-ENHANCED DEPOSITION  ALN THIN-FILMS   A comparison of pulsed-laser-deposited and ion-beam-enhanced-deposited AlN thin films for SOI application 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 124-128 Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  ALUMINUM NITRIDE  ELECTRICAL-PROPERTIES  SILICON  INSULATOR  TEMPERATURE  FABRICATION  SI(111)  AIN   Electrical properties of AlN thin films prepared by ion beam enhanced deposition 期刊论文  OAI收割 SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 196, 期号: 1-3, 页码: 130-134 An, ZG; Men, CL; Xu, ZK; Chu, PK; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 INSULATOR  TEMPERATURE  FABRICATION  AIN   Oxygen profile engineering in silicon by germanium addition and high-temperature annealing 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 83, 期号: 2, 页码: 305-307 An, ZH; Chu, PK; Zhang, M; Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  SI/SIO2 SUPERLATTICE  SI   Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 207-210 Xie, XY; Lin, Q; Men, CL; Liu, WL; Xu, AH; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 Characteristics and polarization-enhanced model of wurtzite aluminum nitride thin films synthesized on Si(100) substrates by pulsed laser deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 3, 页码: 1934-1940 An, ZH; Men, CL; Yu, J; Chu, PK; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  ALN FILMS  ROOM-TEMPERATURE  A1N FILMS  SAPPHIRE  HETEROSTRUCTURES  MORPHOLOGY  ABLATION  SI(111)   Nanoscale silicon prepared on different substrates using electron-beam evaporation and their field-emission property 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 39-42 Xie, XY; Wan, Q; Liu, WL; Men, CL; Lin, Q; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 PHOTOLUMINESCENCE   Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer 期刊论文  OAI收割 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2003, 卷号: 336, 期号: 3-4, 页码: 344-348 Xie, XY; Liu, WL; Lin, Q; Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-BEAM SYNTHESIS  NITRIDE   Fabrication of silicon-on-insulator structure with Si3N4 as buried insulating films by epitaxial layer transfer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2002, 卷号: 245, 期号: 3-4, 页码: 207-211 Xie, XY; Zhang, NL; Men, C; Liu, WL; Lin, Q; An, Z; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 NITRIDE