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机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
1999 [1]
1997 [1]
1991 [3]
1990 [2]
1988 [1]
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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Semiconductor light-emitting diode having a p-type semiconductor layer formed on a light-emitting layer
专利
OAI收割
专利号: US5998810, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07
作者:
HATANO, AKO
;
OHBA, YASUO
;
FUJIMOTO, HIDETOSHI
;
ITAYA, KAZUHIKO
;
NISHIO, JOHJI
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser and method for manufacturing the same
专利
OAI收割
专利号: US5617438, 申请日期: 1997-04-01, 公开日期: 1997-04-01
作者:
HATANO, AKO
;
OHBA, YASUO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser using five-element compound semiconductor
专利
OAI收割
专利号: EP0395392A3, 申请日期: 1991-09-11, 公开日期: 1991-09-11
作者:
HATANO, AKO, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION
;
IZUMIYA, TOSHIHIDE, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV.
;
OHBA, YASUO, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US5036521, 申请日期: 1991-07-30, 公开日期: 1991-07-30
作者:
HATAKOSHI, GENICHI
;
ITAYA, KAZUHIKO
;
NARITSUKA, SHIGEYA
;
ISHIKAWA, MASAYUKI
;
OKUDA, HAJIME
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US5034957, 申请日期: 1991-07-23, 公开日期: 1991-07-23
作者:
OHBA, YASUO
;
NISHIKAWA, YUKIE
;
OKUDA, HAJIME
;
ISHIKAWA, MASAYUKI
;
SUGAWARA, HIDETO
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提交时间:2020/01/13
Double-heterostructure semiconductor with mesa stripe waveguide
专利
OAI收割
专利号: US4949349, 申请日期: 1990-08-14, 公开日期: 1990-08-14
作者:
OHBA, YASUO
;
WATANABE, NIYOKO
;
SUGAWARA, HIDETO
;
ISHIKAWA, MASAYUKI
;
WATANABE, YUKIO
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提交时间:2019/12/24
Impurity-doped semiconductor laser device for single wavelength oscillation
专利
OAI收割
专利号: US4928285, 申请日期: 1990-05-22, 公开日期: 1990-05-22
作者:
KUSHIBE, MITSUHIRO
;
EGUCHI, KAZUHIRO
;
FUNAMIZU, MASAHISA
;
OHBA, YASUO
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser with mesa stripe waveguide structure
专利
OAI收割
专利号: US4792958, 申请日期: 1988-12-20, 公开日期: 1988-12-20
作者:
OHBA, YASUO
;
ISHIKAWA, MASAYUKI
;
YAMAMOTO, MOTOYUKI
;
WATANABE, YUKIO
;
SUGAWARA, HIDETO
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提交时间:2019/12/26