机构

• 西安光学精密机械研究... [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [9]

发表日期

• 1986 [1]
• 1985 [5]
• 1983 [2]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Semiconductor light-emitting element and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1986006889A, 申请日期: 1986-01-13, 公开日期: 1986-01-13 作者:  OONAKA SEIJI;  SERIZAWA HIROMOTO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1985219786A, 申请日期: 1985-11-02, 公开日期: 1985-11-02 作者:  SASAKI YOUICHI;  OONAKA SEIJI;  SERIZAWA AKIMOTO   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18 Semicondutor light-emitting device 专利  OAI收割 专利号: JP1985126885A, 申请日期: 1985-07-06, 公开日期: 1985-07-06 作者:  SASAI YOUICHI;  OONAKA SEIJI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 Optical integrated circuit 专利  OAI收割 专利号: JP1985110184A, 申请日期: 1985-06-15, 公开日期: 1985-06-15 作者:  MATSUDA KENICHI;  MATSUI YASUSHI;  OONAKA SEIJI   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/13 Liquid phase growth method 专利  OAI收割 专利号: JP1985032319A, 申请日期: 1985-02-19, 公开日期: 1985-02-19 作者:  SASAI YOUICHI;  OONAKA SEIJI   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 Compound semiconductor device and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1985025287A, 申请日期: 1985-02-08, 公开日期: 1985-02-08 作者:  HASEGAWA KATSUYA;  OONAKA SEIJI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13 Liquid phase epitaxially growing method 专利  OAI收割 专利号: JP1983213416A, 申请日期: 1983-12-12, 公开日期: 1983-12-12 作者:  OONAKA SEIJI;  OGURA MOTOTSUGU;  SASAI YOUICHI;  HASE NOBUYASU   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 Liquid phase epitaxial growth apparatus 专利  OAI收割 专利号: JP1983182223A, 申请日期: 1983-10-25, 公开日期: 1983-10-25 作者:  OONAKA SEIJI;  HASE NOBUYASU   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 Apparatus for liquid phase epitaxial growth 专利  OAI收割 专利号: JP1983182222A, 公开日期: 1983-10-25 作者:  OONAKA SEIJI;  OGURA MOTOTSUGU;  HASE NOBUYASU   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26