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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1984100583A, 申请日期: 1984-06-09, 公开日期: 1984-06-09
作者:  KURODA TAKAROU;  KAJIMURA TAKASHI;  KASHIWADA YASUTOSHI;  KAYANE NAOKI;  OOUCHI HIROBUMI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1984080983A, 申请日期: 1984-05-10, 公开日期: 1984-05-10
作者:  YAMASHITA SHIGEO;  KAYANE NAOKI;  OOUCHI HIROBUMI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1984011690A, 申请日期: 1984-01-21, 公开日期: 1984-01-21
作者:  YAMASHITA SHIGEO;  KAYANE NAOKI;  OOUCHI HIROBUMI;  KAJIMURA TAKASHI;  KASHIWADA YASUTOSHI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1983196630A, 申请日期: 1983-11-16, 公开日期: 1983-11-16
作者:  KURODA TAKAROU;  KAYANE NAOKI;  OOUCHI HIROBUMI
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Method for liquid phase epitaxial growth 专利  OAI收割
专利号: JP1983196013A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15
作者:  KASHIWADA YASUTOSHI;  KOUNO TOSHIHIRO;  AIKI KUNIO;  OOUCHI HIROBUMI
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Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1983196087A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15
作者:  YAMASHITA SHIGEO;  KAYANE NAOKI;  KASHIWADA YASUTOSHI;  KAJIMURA TAKASHI;  OOUCHI HIROBUMI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1983196085A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15
作者:  KAJIMURA TAKASHI;  YAMASHITA SHIGEO;  OOUCHI HIROBUMI
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Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1983196086A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15
作者:  YAMASHITA SHIGEO;  KAYANE NAOKI;  KAJIMURA TAKASHI;  OOUCHI HIROBUMI
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1983196083A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15
作者:  YAMASHITA SHIGEO;  KASHIWADA YASUTOSHI;  OOUCHI HIROBUMI
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Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1983134488A, 申请日期: 1983-08-10, 公开日期: 1983-08-10
作者:  YAMASHITA SHIGEO;  KAYANE NAOKI;  TAKAHASHI TAKEO;  SAITOU KATSUTOSHI;  OOUCHI HIROBUMI
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