机构

• 半导体研究所 [29]
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• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [27]
• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [32]

发表日期

• 2008 [2]
• 2007 [4]
• 2006 [3]
• 1999 [3]
• 1998 [3]
• 1996 [1]
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学科主题

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浏览/检索结果: 共32条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Cathodoluminescence study of gan-based film structures 期刊论文  iSwitch采集 Journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: S58-s63 作者:  Jiang, D. S.;  Jahn, U.;  Chen, J.;  Li, D. Y.;  Zhang, S. M. 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Cathodoluminescence study of GaN-based film structures 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: s58-s63 suppl. 1 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/03/08 Al compositional inhomogeneity of algan epilayer with a high al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: 6 作者:  Wang, X. L.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Yang, H.;  Liang, J. W. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 The effects of lt aln buffer thickness on the optical properties of algan grown by mocvd and al composition inhomogeneity analysis 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1113-1117 作者:  Wang, X. L.;  Zhao, D. G.;  Jahn, U.;  Ploog, K.;  Jiang, D. S. 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 The effects of LT AlN buffer thickness on the optical properties of AlGaN grown by MOCVD and Al composition inhomogeneity analysis 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1113-1117 Wang, XL (Wang, X. L.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, K (Ploog, K.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Yang, H (Yang, H.); Liang, JW (Liang, J. W.) 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/29 PHOTODIODES   Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: art.no.176005 作者:  Yang H;  Yang H;  Zhao DG;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/03/29 SAPPHIRE   Spatial distribution of deep level defects in crack-free algan grown on gan with a high-temperature aln interlayer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 5 作者:  Sun, Q.;  Wang, H.;  Jiang, D. S.;  Jin, R. Q.;  Huang, Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Measurement of threading dislocation densities in gan by wet chemical etching 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235 作者:  Chen, J.;  Wang, J. F.;  Wang, H.;  Zhu, J. J.;  Zhang, S. M. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101 Sun, Q (Sun, Q.); Wang, H (Wang, H.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Jin, RQ (Jin, R. Q.); Huang, Y (Huang, Y.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Yang, H (Yang, H.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, KH (Ploog, K. H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/03/29 LIGHT-EMITTING-DIODES   Electronic subbands in InxGa1-xAs/InyAl1-yAs pseudomorphic heterostructures grown by GSMBE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 1999, 卷号: 34, 页码: S32-S35 作者:  Chen JX;  Li AZ;  Ren YC;  Friedland K;  Ploog K   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/11/21