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上海微系统与信息技术... [3]
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OAI收割 [16]
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Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhang SM
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浏览/下载:189/43
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提交时间:2010/03/08
Cathodoluminescence
MOCVD
AlGaN
Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD
期刊论文
OAI收割
physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 1, 页码: 294-298
Jahn U (Jahn Uwe)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Ploog KH (Ploog Klaus H.)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zha0 Degang)
;
Yang H (Yang, Hui)
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Measurement of threading dislocation densities in GaN by wet chemical etching
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235
作者:
Yang H
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101
Sun, Q (Sun, Q.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Jin, RQ (Jin, R. Q.)
;
Huang, Y (Huang, Y.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Jahn, U (Jahn, U.)
;
Ploog, KH (Ploog, K. H.)
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提交时间:2010/03/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
Lateral phase separation in algan grown on gan with a high-temperature ain interlayer
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: 3
作者:
Sun, Q
;
Huang, Y
;
Wang, H
;
Chen, J
;
Jin, RQ
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提交时间:2019/05/12
Lateral phase separation in AlGaN grown on GaN with a high-temperature AIN interlayer
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: art.no.121914
作者:
Yang H
;
Yang H
;
Wang H
;
Jiang DS
;
Zhang SM
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浏览/下载:119/19
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提交时间:2010/03/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Investigations on v-defects in quaternary alingan epilayers
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 26, 页码: 5449-5451
作者:
Liu, JP
;
Wang, YT
;
Yang, H
;
Jiang, DS
;
Jahn, U
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Nonradiative recombination centers in ga(as,n) and their annealing behavior studied by raman spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1859-1861
作者:
Ramsteiner, M
;
Jiang, DS
;
Harris, JS
;
Ploog, KH
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/12
Nonradiative recombination centers in Ga(As,N) and their annealing behavior studied by Raman spectroscopy
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1859-1861
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:87/29
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提交时间:2010/03/09
1.3 MU-M
Investigations on V-defects in quaternary AlInGaN epilayers
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 26, 页码: 5449-5451
作者:
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
;
Jiang DS
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提交时间:2010/03/09
MULTIPLE-QUANTUM WELLS