机构

• 半导体研究所 [12]

采集方式

• OAI收割 [8]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2003 [2]
• 2000 [5]
• 1998 [2]
• 1994 [1]
• 1993 [1]
• 1992 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [5]
• 半导体物理 [2]
• 半导体化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photoluminescence of mg-doped gan grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841 作者:  Qu, BZ;  Zhu, QS;  Sun, XH;  Wan, SK;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841 Qu BZ; Zhu QS; Sun XH; Wan SK; Wang ZG; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：305/4  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  GALLIUM NITRIDE  FILMS  DEFECTS  LUMINESCENCE  COMPENSATION  SPECTROSCOPY  ACCEPTORS   Cathodoluminescence on gan hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective movpe 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151 作者:  Zhu, QS;  Matsushima, H;  Hiramatsu, K;  Sawaki, N 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitrogen vacancy scattering in n-gan grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596 作者:  Zhu, QS;  Sawaki, N 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596 Zhu QS; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 LAYER   Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267 Zhu QS; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  DEEP LEVELS   Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151 Zhu QS; Matsushima H; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWTH  FACETS  WIRES  MOCVD   Hole trap levels in mg-doped gan grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 14, 页码: 2024-2026 作者:  Nagai, H;  Zhu, QS;  Kawaguchi, Y;  Hiramatsu, K;  Sawaki, N 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 14, 页码: 2024-2026 Nagai H; Zhu QS; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  DEEP LEVELS   DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 SEMICONDUCTORS  DEFECTS  VACANCY  SILICON  LEVEL  LPE