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• 西安光学精密机械研究... [9]

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发表日期

• 2009 [1]
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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Optical isolator utilizing a micro-resonator 专利  OAI收割 专利号: EP1560048B1, 申请日期: 2009-07-29, 公开日期: 2009-07-29 作者:  TAN, MICHAEL R.T.;  TRUTNA, WILLIAM;  BOUR, DAVID P.;  LEARY, MICHAEL H.   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Active region of a light emitting device optimized for increased modulation speed operation 专利  OAI收割 专利号: US20060274801A1, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07 作者:  TANDON, ASHISH;  DJORDJEV, KOSTADIN;  LIN, CHAO-KUN;  TAN, MICHAEL R.T.   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 Method and apparatus for improving temperature performance for GaAsSb/GaAs devices 专利  OAI收割 专利号: US20040161005A1, 申请日期: 2004-08-19, 公开日期: 2004-08-19 作者:  BOUR, DAVID P.;  TAN, MICHAEL R.T.;  CHANG, YING-LAN   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/31 Near planar native-oxid VCSEL device and arrays 专利  OAI收割 专利号: EP0898344A3, 申请日期: 2000-04-26, 公开日期: 2000-04-26 作者:  SCHNEIDER, RICHARD P., JR.;  TAN, MICHAEL R.T.;  CORZINE, SCOTT W.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/31 Vertical cavity surface emitting laser with reduced turn-on jitter and increased single-mode output 专利  OAI收割 专利号: US5867516, 申请日期: 1999-02-02, 公开日期: 1999-02-02 作者:  CORZINE, SCOTT W.;  TAN, MICHAEL R.T.   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/24 Light emitting device and its fabrication method 专利  OAI收割 专利号: EP0709939B1, 申请日期: 1998-08-26, 公开日期: 1998-08-26 作者:  TAN, MICHAEL R.T.;  WANG, SHIH-YUAN;  YUEN, ALBERT T.   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24 Atomic element doped semi-conductor injection laser fabricated by using ion implantation and epitaxial growth on the implanted surface 专利  OAI收割 专利号: EP0470372A3, 申请日期: 1992-04-22, 公开日期: 1992-04-22 作者:  WANG, SHIH-YUAN;  TAN, MICHAEL R.T.   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 N-drive or p-drive vcsel array 专利  OAI收割 专利号: EP0935322A1, 公开日期: 1999-08-11 作者:  YUEN, ALBERT T.;  TAN, MICHAEL R.T.;  LEI, CHUN   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for producing a long wavelength indium gallium arsenide nitride(InGaAsN) active region 专利  OAI收割 专利号: US20030211647A1, 公开日期: 2003-11-13 作者:  BOUR, DAVID P.;  TAKEUCHI, TETSUYA;  TANDON, ASHISH;  CHANG, YING-LAN;  TAN, MICHAEL R.T.   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/26