消息
×
loading..
中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
1984 [4]
1983 [2]
1982 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Semiconductor light-emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1984119884A, 申请日期: 1984-07-11, 公开日期: 1984-07-11
作者:
USHIJIMA ICHIROU
|
收藏
|
浏览/下载:21/0
|
提交时间:2020/01/18
Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1984056784A, 申请日期: 1984-04-02, 公开日期: 1984-04-02
作者:
USHIJIMA ICHIROU
;
TANAHASHI TOSHIYUKI
;
NAKAI SABUROU
|
收藏
|
浏览/下载:12/0
|
提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: JP1984044820A, 申请日期: 1984-03-13, 公开日期: 1984-03-13
作者:
TANAHASHI TOSHIYUKI
;
USHIJIMA ICHIROU
;
NAKAI SABUROU
|
收藏
|
浏览/下载:14/0
|
提交时间:2020/01/13
Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1984021079A, 申请日期: 1984-02-02, 公开日期: 1984-02-02
作者:
USHIJIMA ICHIROU
;
TANAHASHI TOSHIYUKI
;
NAKAI SABUROU
|
收藏
|
浏览/下载:28/0
|
提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1983170089A, 申请日期: 1983-10-06, 公开日期: 1983-10-06
作者:
TANAHASHI TOSHIYUKI
;
USHIJIMA ICHIROU
;
NAKAI SABUROU
|
收藏
|
浏览/下载:10/0
|
提交时间:2020/01/18
Detecting method for pn junction in compound semiconductor
专利
OAI收割
专利号: JP1983056350A, 申请日期: 1983-04-04, 公开日期: 1983-04-04
作者:
UEDA OSAMU
;
TANAHASHI TOSHIYUKI
;
USHIJIMA ICHIROU
|
收藏
|
浏览/下载:14/0
|
提交时间:2019/12/31
Manufacture of semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1982198686A, 申请日期: 1982-12-06, 公开日期: 1982-12-06
作者:
TANAHASHI TOSHIYUKI
;
USHIJIMA ICHIROU
;
KOMIYAMA TAKESHI
|
收藏
|
浏览/下载:17/0
|
提交时间:2020/01/18
Semiconductor light-emitting element
专利
OAI收割
专利号: JP1982180192A, 申请日期: 1982-11-06, 公开日期: 1982-11-06
作者:
USHIJIMA ICHIROU
;
KOMIYAMA TAKESHI
;
TANAHASHI TOSHIYUKI
|
收藏
|
浏览/下载:9/0
|
提交时间:2020/01/18
首页
上一页
1
下一页
末页