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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2013 [1]
2011 [1]
2010 [1]
2009 [3]
2007 [2]
2003 [1]
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Distributed feedback laser having enhanced etch stop features
专利
OAI收割
专利号: US8477817, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02
作者:
VERMA, ASHISH K.
;
SUDO, TSURUGI
;
THIYAGARAJAN, SUMESH MANI K.
;
YOUNG, DAVID BRUCE
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提交时间:2019/12/24
Epitaxial regrowth in a distributed feedback laser
专利
OAI收割
专利号: US8034648, 申请日期: 2011-10-11, 公开日期: 2011-10-11
作者:
HA, YUK LUNG
;
YOUNG, DAVID BRUCE
;
VERMA, ASHISH
;
DIMITROV, ROMAN
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提交时间:2019/12/24
Laser facet pre-coating etch for controlling leakage current
专利
OAI收割
专利号: US7763485, 申请日期: 2010-07-27, 公开日期: 2010-07-27
作者:
DIMITROV, ROMAN
;
VERMA, ASHISH
;
SUDO, TSURUGI
;
LEHMANN, SCOTT
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提交时间:2019/12/24
Thin INP spacer layer in a high speed laser for reduced lateral current spreading
专利
OAI收割
专利号: US7606279, 申请日期: 2009-10-20, 公开日期: 2009-10-20
作者:
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser having a doped active layer
专利
OAI收割
专利号: US7573925, 申请日期: 2009-08-11, 公开日期: 2009-08-11
作者:
YOUNG, DAVID BRUCE
;
HA, YUK LUNG
;
VERMA, ASHISH
;
ENG, LARS
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser having low stress passivation layer
专利
OAI收割
专利号: US7567601, 申请日期: 2009-07-28, 公开日期: 2009-07-28
作者:
SUDO, TSURUGI
;
VERMA, ASHISH
;
CHAI, JING
;
THIYAGARAJAN, SUMESH MANI K.
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser with side mode suppression
专利
OAI收割
专利号: EP1766739A2, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2007-03-28
作者:
RATOWSKY, RICHARD, P.
;
VERMA, ASHISH, K.
;
ENG, LARS
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提交时间:2020/01/18
Edge emitting semiconductor laser with short gain region
专利
OAI收割
专利号: US20070047606A1, 申请日期: 2007-03-01, 公开日期: 2007-03-01
作者:
FRANCIS, DANIEL A.
;
VERMA, ASHISH K.
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提交时间:2020/01/18
Electrically pumped vertical optical cavity with improved electrical performance
专利
OAI收割
专利号: US6647041, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11
作者:
VERMA, ASHISH K.
;
CHEN, ARNOLD C.
;
FRANCIS, DANIEL A.
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提交时间:2019/12/24