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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: US6876688, 申请日期: 2005-04-05, 公开日期: 2005-04-05 作者:  HAYAKAWA, TOSHIRO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure, and oscillating in transverse mode 专利  OAI收割 专利号: US6516016, 申请日期: 2003-02-04, 公开日期: 2003-02-04 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure 专利  OAI收割 专利号: US6400743, 申请日期: 2002-06-04, 公开日期: 2002-06-04 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 High-power semiconductor laser device including resistance reduction layer which has intermediate energy gap 专利  OAI收割 专利号: US20010043630A1, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22 作者:  AKINAGA, FUJIO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure and stably oscillating in single mode 专利  OAI收割 专利号: US20010033591A1, 申请日期: 2001-10-25, 公开日期: 2001-10-25 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU;  MATSUMOTO, KENJI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser element 专利  OAI收割 专利号: US20010028668A1, 申请日期: 2001-10-11, 公开日期: 2001-10-11 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  MATSUMOTO, KENJI;  WADA, MITSUGU   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: EP0920096B1, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2001-10-10 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US6285695, 申请日期: 2001-09-04, 公开日期: 2001-09-04 作者:  ASANO, HIDEKI;  WADA, MITSUGU;  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device having strain buffer layer between compressive-strain quantum well layer and tensile-strain barrier layer 专利  OAI收割 专利号: US20010017875A1, 申请日期: 2001-08-30, 公开日期: 2001-08-30 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US6028874, 申请日期: 2000-02-22, 公开日期: 2000-02-22 作者:  WADA, MITSUGU;  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18