机构

• 上海微系统与信息技... [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2012 [2]
• 2011 [6]
• 2009 [2]
• 2008 [1]

学科主题

• Physics [6]
• Instrument... [2]
• Engineerin... [1]
• Engineerin... [1]
• Instrument... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702 Hu, ZY; Liu, ZL; Shao, H; Zhang, ZX（重点实验室）; Ning, BX; Bi, DW（重点实验室）; Chen, M; Zou, SC（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   Influence of Si nanocrystal embedded in BOX on radiation and electrical properties of SOI wafer 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 257-260 Bi, DW（重点实验室）; Zhang, ZX（重点实验室）; Chen, M; Wu, AM（重点实验室）; Wei, X; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/10 Instruments & Instrumentation  Physics  Physics  Nuclear Science & Technology  Atomic  Nuclear  Molecular & Chemical   Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703 Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX（重点实验室）; Shao, H; Chen, M; Bi, DW; Ning, BX; Zou, SC（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   Comparison of TID response in core, input/output and high voltage transistors for flash memory 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 1148-1151 Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX（重点实验室）; Shao, H; Chen, M; Bi, DW; Ning, BX; Zou, SC（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Physics  Electrical & Electronic  Nanoscience & Nanotechnology  Applied   Silicon-on-Insulator-on-Cavity-Structured Micropressure Sensor 期刊论文  OAI收割 SENSORS AND MATERIALS, 2011, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 159-166 Wu, AM; Wei, X; Yang, ZF; Chen, J; Chen, M; Bi, DW; Zhang, ZX（重点实验室）; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/10 Instruments & Instrumentation  Materials Science  Multidisciplinary   Total ionizing dose effect of 0. 18 mu M nMOSFETs 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 11, 页码: 116103 Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX（重点实验室）; Shao, H; Ning, BX; Bi, DW（重点实验室）; Chen, M; Zou, SC（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 70701 Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX; Shao, H; Chen, M; Bi, DW（重点实验室）; Ning, BX; Zou, SC（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 70701 Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX（重点实验室）; Shao, H; Ning, BX; Bi, DW（重点实验室）; Chen, M; Zou, SC（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   Fabrication of Total-Dose-Radiation-Hardened (TDRH) SOI wafer with embedded silicon nanoclusters 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 41495, 页码: 1489-1491 Wu, AM; Wang, X（重点实验室）; Wei, X; Chen, J; Chen, M; Zhang, ZX（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/05/10 Instruments & Instrumentation  Physics  Physics  Nuclear Science & Technology  Atomic  Nuclear  Molecular & Chemical   Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened fully-depleted SIMOX SOI wafers 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS C, 2009, 卷号: 33, 期号: 10, 页码: 866-869 Bi, DW; Zhang, ZX（重点实验室）; Zhang, S; Chen, M; Yu, WJ; Wang, R; Tian, H; Liu, ZL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Physics  Nuclear  Particles & Fields