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	Light-harvesting for high quantum efficiency in InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices long wavelength infrared photodetectors 期刊论文 OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 114, 期号: 14, 页码: 141102 作者: Huang Min; Chen Jianxin; Zhou Yi; Xu Zhicheng; He Li \| 收藏 \| 浏览/下载：39/0 \| 提交时间：2019/11/13 PHOTODIODES ENHANCEMENT
	InAs/GaSb superlattice interband cascade light emitting diodes with high output power and high wall-plug efficiency 期刊论文 OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 114, 期号: 25, 页码: 253507 作者: Zhou Yi; Lu Qi; Chai Xuliang; Xu Zhicheng; Chen Jianxin \| 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2019/11/13 AUGER RECOMBINATION
	Investigation of regime switching from mode locking to Q-switching in a 2 um InGaSb GaAsSb quantum well laser 期刊论文 OAI收割 Optics Express, 2018, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 8289-8295 作者: Li, X.; Wang, H.; Qiao, Z. L.; Guo, X.; Wang, W. J. \| 收藏 \| 浏览/下载：160/0 \| 提交时间：2019/09/17 saturable absorber dot lasers femtosecond sesams Optics
	Electrical and optical performances of InGaAs/GaAsSb superlattice short-wavelength infrared detectors 期刊论文 OAI收割 OPTICAL ENGINEERING, 2017, 卷号: 56, 期号: 5 作者: Jin C; Chen JX; Xu QQ; Yu CZ; He L \| 收藏 \| 浏览/下载：41/0 \| 提交时间：2018/11/20 short-wavelength infrared type II InGaAs/GaAsSb superlattice quantum efficiency absorption region thickness
	LPE growth and optical characteristics of GaAs1-xSbx epilayer 期刊论文 OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 463, 页码: 123-127 作者: Wang Y; Hu SH; Zhou W; Sun Y; Zhang B \| 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2018/11/20 QUANTUM-WELLS GAASSB TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE WAVELENGTH DEPENDENCE LAYERS
	High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates 期刊论文 OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5 作者: Xu ZC; Chen JX; Wang FF; Zhou Y; He L \| 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2018/11/20 InAs/GaAsSb superlattices InAs substrates strain balance quantum efficiency detectivity
	Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure 外文期刊 OAI收割 2010 作者: Jin, Z; Liu, XY; Wu, Dx; Zhou, L; Chang, HD \| 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2010/11/26 Inp/gaassb/inp Dhbts Graded-base Ghz Bvceo
	InP基含锑基区DHBT的材料生长与器件研究学位论文 OAI收割博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2008 孙浩收藏 \| 浏览/下载：35/0 \| 提交时间：2012/03/06 双异质结双极晶体管（DHBT）　气态源分子束外延（GSMBE）　InP 　GaAsSb
	重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性期刊论文 OAI收割半导体学报, 2007, 期号: 11 孙浩; 齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 朱福英收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2012/01/06 SOI 总剂量辐射背沟道掩埋氧化层