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OAI收割 [8]
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会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2005 [1]
2001 [2]
1995 [1]
1983 [2]
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CMOS兼容的微机械热电堆红外探测器阵列研究
会议论文
OAI收割
第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议, 2009
徐德辉
;
熊斌
;
王跃林
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/01/18
微机械热电堆 红外探测器 热电偶材料 多晶硅 结构支撑膜 干法各向同性 硅腐蚀工艺
一种新型抗辐照SOI隔离结构
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 4,1291-1294
作者:
司红
;
赵洪辰
;
海潮和
;
韩郑生
;
钱鹤
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/05/26
隔离结构
抗辐照
Soi
薄sio2
多晶硅
Sio2多层膜
低温p-Si薄膜的制备研究
期刊论文
OAI收割
世界电子元器件, 2001, 期号: 11, 页码: 11-12
荆海
;
邱法斌
;
刘传珍
;
付国柱
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/03/11
薄膜材料:4711
激光能量密度:4246
多晶硅:4023
膜的制备:3777
激光退火:3106
金属诱导:2364
液晶显示技术:2337
硅薄膜:1706
结晶度:1693
中国科学院:1680
准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备
期刊论文
OAI收割
液晶与显示, 2001, 期号: 03, 页码: 170-175
邱法斌
;
骆文生
;
张玉
;
刘传珍
;
荆海
;
黄锡珉
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/03/11
多晶硅膜
准分子激光烧结
玻璃衬底
制备
TiN/TiSi2薄膜制备及其在集成电路中应用
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院(上海冶金研究所) , 1995
朱培青
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2012/03/06
TiN/TiSi<
2>
3>
薄膜
成膜工艺
四探针测试
接触系统TiN/TiSi<
应用
ECL电路
多晶硅发射极晶体管
变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响
期刊论文
OAI收割
太阳能学报, 1983, 卷号: 4, 期号: 3, 页码: 325-329
韩桂林
;
王岚
;
刘连元
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/06/15
电阻率剖面
p型
成膜温度
面电阻率
剖面分布
n型
多晶硅薄膜
变换工艺
多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析
期刊论文
OAI收割
半导体技术, 1983, 期号: 1, 页码: 32-34
韩桂林
;
王岚
;
刘连元
;
刘雅言
;
单玉臣
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2012/06/15
剖面分析
掺杂浓度
剖面分布
多晶硅薄膜
多晶硅膜
电阻率
杂质分布
用CVD和高温退火技术制备大晶粒多晶硅薄膜
期刊论文
OAI收割
太阳能学报, 1982, 卷号: 3, 期号: 4, 页码: 460-463
韩桂林
;
王岚
;
刘连元
;
刘雅言
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2012/06/15
多晶硅层
高温退火
大晶粒
多晶硅薄膜
多晶硅膜