中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
微电子研究所 [9]
电子学研究所 [3]
高能物理研究所 [2]
声学研究所 [2]
武汉岩土力学研究所 [2]
力学研究所 [1]
更多
采集方式
OAI收割 [21]
内容类型
期刊论文 [17]
学位论文 [3]
CNKI期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
2008 [3]
2007 [2]
2006 [1]
2005 [2]
2004 [4]
更多
学科主题
核技术及应用 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共21条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
大孔径空间探测系统的缺陷分布分析
期刊论文
OAI收割
传感器与微系统, 2012, 期号: 01, 页码: 42-44
王忠生
;
李昆
;
张学军
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2013/03/11
空间
光学成像探测
局部缺陷
调制传递函数
截止频率
偶极子源在井孔中激发的声场
学位论文
OAI收割
博士, 声学研究所: 中国科学院声学研究所, 2008
张秀梅
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2011/05/07
偶极子
弯曲波
截止频率
黎曼叶
垂直割线
X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究
期刊论文
OAI收割
电子器件, 2008, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 4,1790-1793
作者:
王冬冬
;
刘果果
;
刘丹
;
李诚瞻
;
刘新宇
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/05/27
Algan/gan Hemts
Γ栅场板
截止频率
功率密度
一种新颖U形缺陷地结构宽阻带低通滤波器
期刊论文
OAI收割
微波学报, 2008, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 65-67
龙泉
;
杜正伟
;
刘濮鲲
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/05/19
缺陷地结构
微带线
低通滤波器
截止频率
功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 4,1860_1863
作者:
张健
;
刘训春
;
牛洁斌
;
刘亮
;
张海英
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/05/26
最大振荡频率/功率增益截止频率
截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 4,1864_1867
作者:
徐静波
;
刘亮
;
张海英
;
尹军舰
;
刘训春
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/05/26
截止频率
高电子迁移率晶体管
Ingaas/inalas Inp
功率RF LDMOS的关键参数研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 266-270
作者:
李科
;
黄晓兰
;
吴德馨
;
张耀辉
;
王立新
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2010/05/26
Rf
Ldmos
击穿电压
截止频率
多晶硅氧化
高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 4,88-91
作者:
邵刚
;
刘新宇
;
和致经
;
刘键
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/05/26
Algan/gan Hemt
微波功率
单位截止频率
截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 4,472-475
作者:
陈立强
;
张海英
;
钱鹤
;
尹军舰
;
牛洁斌
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/05/26
截止频率
晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 446-449
作者:
袁志鹏
;
刘训春
;
孙海峰
;
石瑞英
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/05/26
Ingap/gaas
Hbt晶向效应
直流电流增益
截止频率
压电效应
侧向腐蚀