机构

• 微电子研究所 [6]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [3]
• 2005 [2]
• 1997 [1]
• 1986 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 4，559-562 作者:  许剑;  丁磊;  韩郑生;  钟传杰   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/27 阈值电压  二维效应  全耗尽soi  Halo结构   全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 5,73_77 作者:  韩郑生;  李瑞贞;  李多力;  杜寰;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/05/26 全耗尽soi  Mosfet 阈值电压  模型   单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 8, 页码: 4,1424_1427 作者:  徐静波;  张海英;  尹军舰;  刘亮;  李潇   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/26 单片集成  增强型  耗尽型  赝配高电子迁移率晶体管  阈值电压   非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2007, 期号: 6 作者:  许剑;  钟传杰;  丁磊;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 阈值电压  表面势  全耗尽soi  Halo结构   GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 5，2281-2285 作者:  尹军舰;  张海英;  李海鸥;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 赝配高电子迁移率晶体管  增强型  耗尽型  阈值电压  Gaas   全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 6，2303-2308 作者:  韩郑生;  李瑞贞   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/26 全耗尽soi  Mosfets  表面势  阚值电压   硅微条探测器的辐射损伤试验 期刊论文  OAI收割 高能物理与核物理, 1997, 期号: 4, 页码: 292-297 作者:  顾维新 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/12/21 硅微条探测器  辐射损伤  黑洞  耗尽电压   Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池结特性研究 期刊论文  OAI收割 太阳能学报, 1986, 期号: 01 管丽民; 徐红; 隋兆文; 陈芬扣 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/04/19 GaAs太阳电池:6402  结特性:5810  暗电流:2371  黑区:1980  双指数模型:1800  复合电流:1782  耗尽区:1609  感生电流:1544  开路电压:1479  有源区:1456