机构

• 微电子研究所 [5]
• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2018 [1]
• 2008 [2]
• 2007 [1]
• 2005 [2]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文  OAI收割 现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4 作者:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2018/07/20 辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi   总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 5，619-623 作者:  郭天雷;  赵发展;  刘刚;  海潮和;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/05/27 部分耗尽soi   总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 4，1036-1039 作者:  刘梦新;  韩郑生;  李多力;  刘刚;  赵超荣   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/27 部分耗尽soi  译码器  总剂量 辐照   总剂量辐照加固的 PDSOI CMOS64k静态随机存储器 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 8, 页码: 3,1184_1186 作者:  周小茵;  郭天雷;  赵发展;  刘刚;  李多力   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗尽 Soi   采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 6，1875-1880 作者:  吴峻峰;  钟兴华;  李多力;  毕津顺;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗尽soi  半背沟道  击穿  翘曲效应   部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 6，656-661 作者:  吴峻峰;  钟兴华;  李多力;  康晓辉;  邵红旭   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗尽soi体接触