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	体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响期刊论文 OAI收割电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹 \| 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2020/03/19 总剂量效应绝缘体上硅体效应浅沟槽隔离
	柔性LED阵列器件的结构设计及制备研究学位论文 OAI收割硕士: 中国科学院大学, 2013 高丹收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2014/03/15 微型柔性LED阵列 AlGaInP 聚酰亚胺 MOEMS技术隔离沟槽
	深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究学位论文 OAI收割博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012 刘张李收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2013/04/24 总剂量辐射效应陷阱正电荷浅沟槽隔离氧化物辐射加固
	0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究学位论文 OAI收割博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012 胡志远收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2013/04/24 MOS器件闪存单元总剂量效应浅沟槽隔离
	深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响期刊论文 OAI收割物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96 胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2013/02/22 总剂量效应浅沟槽隔离氧化层陷阱正电荷金属氧化物半导体场效晶体管
	0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应期刊论文 OAI收割物理学报, 2011, 期号: 11 刘张李; 胡志远; 张正选; 邵华; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2012/04/13 总剂量效应浅沟槽隔离氧化层陷阱正电荷 MOSFET
	发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备期刊论文 OAI收割微细加工技术, 2005, 期号: 04, 页码: 76-80 作者: 梁静秋收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2013/03/11 微显示器件发光二极管阵列隔离沟槽湿法腐蚀欧姆接触 AlGaInP GaP
	深亚微米隔离技术—浅沟槽隔离工艺期刊论文 OAI收割半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 7,323_329 作者: 徐秋霞; 王新柱 \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2010/05/25 浅沟槽隔离工艺