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半导体研究所 [6]
苏州纳米技术与纳米仿... [1]
采集方式
OAI收割 [5]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2000 [2]
1999 [2]
学科主题
光电子学 [2]
半导体材料 [2]
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浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
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The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417
作者:
Zhang SM
;
Yang H(杨辉)
;
Zhang SM
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/01/15
INTERSUBBAND ABSORPTION
MU-M
ALGAN
GAN
INTERLAYERS
MOVPE
ALN
The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106
Ma, ZF
;
Zhao, DG
;
Wang, YT
;
Jiang, DS
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Sun, BJ
;
Yang, H
;
Liang, JW
收藏
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浏览/下载:60/3
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提交时间:2010/03/08
INTERSUBBAND ABSORPTION
MU-M
ALGAN
GAN
INTERLAYERS
MOVPE
ALN
Parasitic reaction and its effect on the growth rate of AlN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 1, 页码: 72-75
作者:
Jiang DS
;
Li XY
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhao DG
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2010/04/11
growth rate
parasitic reaction
MOCVD
AlN
GAS-PHASE REACTIONS
MOVPE GROWTH
ALGAN MOVPE
ALXGA1-XN
Quasi-thermodynamic analysis of movpe of algan
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 73-78
作者:
Lu, DC
;
Duan, S
收藏
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提交时间:2019/05/12
Algan
Thermodynamic
Movpe
Aluminium content
Quasi-thermodynamic analysis of MOVPE of AlGaN
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 73-78
Lu DC
;
Duan S
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
AlGaN
thermodynamic
MOVPE
aluminium content
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
NITRIDE
REGION
ALLOYS
Scanning electron microscope studies of cubic alxga1-xn films grown on gaas(100) by metal organic vapor phase epitaxy (movpe)
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 203, 期号: 1-2, 页码: 40-44
作者:
Xu, DP
;
Yang, H
;
Zhao, DG
;
Li, JB
;
Zheng, LX
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Algan
Cubic
Hexagonal
Sem
Movpe
Scanning electron microscope studies of cubic AlxGa1-xN films grown on GaAs(100) by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE)
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 203, 期号: 1-2, 页码: 40-44
作者:
Zhao DG
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提交时间:2010/08/12
AlGaN
cubic
hexagonal
SEM
MOVPE
GAAS
GAN