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发表日期

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 X-ray absorption spectroscopy study of buried Co layers in the Co/Mo2C multilayer mirrors 期刊论文  OAI收割 SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2017, 卷号: 49, 期号: 3, 页码: 205-209 作者:  Yuan, YY;  Le Guen, K;  Tu, YC;  Zhu, JT;  Wang, ZS   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2017/12/08 Xanes  Exafs  Interface Analysis  Periodic Multilayer  Buried Co Layers  Annealing   Characterization and analysis of silicon on insulator fabricated by separation by implanted oxygen layer transfer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 163-168 Wei,X; Wu,AM; Wang,X; Li,XY; Ye,F; Chen,J; Chen,M; Zhang,B; Li,CL; Zhang,M; Wang,X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 LOW-DOSE SEPARATION  PSEUDO-MOS TRANSISTOR  BURIED OXIDE LAYERS  THERMAL-OXIDATION  WAFERS  SOI  FILM  SOICMOS   Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207 Ou, X; Zhang, B; Wu, AM; Zhang, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE LAYERS  SILICON  DISLOCATIONS  GENERATION  VOIDS  AU   Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207 Ou, X; Zhang, B（重点实验室）; Wu, AM; Zhang, M（重点实验室）; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/05/10 BURIED OXIDE LAYERS  SILICON  DISLOCATIONS  GENERATION  VOIDS  AU   Narrow stripe selective growth of oxide-free InGaAlAs/InGaAlAs MQWs by ultra-low pressure MOVPE 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 841-845 Feng W (Feng W.); Pan JQ (Pan J. Q.); Zhou F (Zhou F.); Yang H (Yang H.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Zhu HL (Zhu H. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  QUANTUM-WELL STRUCTURES  BANDGAP ENERGY CONTROL  LAYERS  INGAASP   AlGaInAs narrow stripe selective growth on substrates patterned with different mask designs 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 2330-2334 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  BANDGAP ENERGY CONTROL  QUANTUM-WELL LASERS  PRESSURE MOVPE  AREA GROWTH  INGAALAS  LAYERS   Research on the effect of nitrogen implantation doses on the structure of separation by implantation of oxygen and nitrogen 期刊论文  OAI收割 SMART MATERIALS & STRUCTURES, 2005, 卷号: 14, 期号: 4, 页码: N42-N45 Zhang, EX; Yi, WB; Chen, J; Zhang, ZX; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-BEAM SYNTHESIS  BURIED LAYERS  SILICON   Comparative study of SOI/Si hybrid substrates fabricated using high-dose and low-dose oxygen implantation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 37, 期号: 13, 页码: 1732-1735 Dong, YM; Chen, M; Chen, J; Wang, X; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE LAYERS  ION-IMPLANTATION  SILICON  OXIDATION   Fabrication of device-grade silicon-on-insulator material from appropriate matches of low oxygen implantation dose and acceleration energy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2003, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 2001-2010 Chen, M; Wang, X; Chen, J; Dong, YM; Yi, WB; Liu, XH; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 OXIDATION ITOX PROCESS  BURIED OXIDE LAYERS  SIMOX WAFERS  ION-IMPLANTATION  TEMPERATURE  SEPARATION   Fabrication of device-grade separation-by-implantation-of-oxygen materials by optimizing dose-energy match 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2002, 卷号: 17, 期号: 7, 页码: 1634-1643 Chen,M; Yu,YH; Wang,X; Wang,X; Chen,J; Liu,XH; Dong,YM 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE  ION-IMPLANTATION  SIMOX  SILICON  LAYERS  TEMPERATURE  WAFERS   首页 上一页 1 2 下一页 末页