机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2009 [2]
• 2008 [1]
• 2005 [1]
• 2003 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: 3 作者:  Xu, Xiaoqing;  Liu, Xianglin;  Yang, Shaoyan;  Liu, Jianming;  Wei, Hongyuan 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Carrier density  Carrier mobility  Dislocation density  Dislocation scattering  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Semiconductor heterojunctions  Wide band gap semiconductors   Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：245/104  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier density  carrier mobility  dislocation density  dislocation scattering  gallium compounds  III-V semiconductors  semiconductor heterojunctions  wide band gap semiconductors   Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403 Wang, H; Jiang, DS; Wang, LL; Sun, X; Liu, WB; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Wang, YT; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  DISLOCATION SCATTERING  LAYER THICKNESS  INDIUM NITRIDE  BAND-GAP  VACANCIES   Photoluminescence investigation of two-dimensional electron gas in an undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2096-2099 Han, XX; Wu, JJ; Li, JM; Cong, GW; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：50/17  |  提交时间：2010/03/17 DISLOCATION SCATTERING   Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404 Wang, YG; Li, W; Han, PD; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  THREADING EDGE DISLOCATION  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE GAN  GALLIUM NITRIDE  GROWTH STOICHIOMETRY  SCATTERING  DEFECTS  LUMINESCENCE   Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：214/2  |  提交时间：2010/08/12 defects  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  light emitting diodes  LIGHT-EMITTING-DIODES  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  THREADING EDGE DISLOCATION  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE GAN  GALLIUM NITRIDE  GROWTH STOICHIOMETRY  SCATTERING  DEFECTS  LUMINESCENCE