机构

• 金属研究所 [6]
• 合肥物质科学研究院 [4]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2013 [1]
• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [2]
• 2008 [1]
• 2005 [1]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响 期刊论文  OAI收割 材料研究学报, 2013, 期号: 3, 页码: 307-311 程华; 钱永产; 薛军; 吴爱民; 石南林 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/12/25 材料合成与加工工艺  微晶硅薄膜  ECR-PECVD  放电气体   基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响 期刊论文  OAI收割 材料研究学报, 2011, 期号: 4, 页码: 408-412 程华; 王萍; 崔岩; 吴爱民; 石南林 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/12 材料合成与加工工艺  微晶硅薄膜  ECR PECVD  吸收系数  光学带隙   用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜 期刊论文  OAI收割 材料研究学报, 2010, 期号: 5, 页码: 547-549 程华; 张昕; 张广城; 刘汝宏; 吴爱民; 石南林 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/12 材料合成与加工工艺  微晶硅薄膜  Ar稀释SiH_4  ECR-PECVD  微波功率   Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH4+Ar 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491 作者:  Cheng, Hua;  Wu, Aimin;  Xiao, Jinquan;  Shi, Nanlin;  Wen, Lishi   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02 Poly-Si films  ECR-PECVD  Substrate temperature  Ar-dilution   Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH(4)+Ar 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science & Technology, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491 H. Cheng; A. M. Wu; J. Q. Xiao; N. L. Shi; L. S. Wen 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/04/13 Poly-Si films  ECR-PECVD  Substrate temperature  Ar-dilution  chemical-vapor-deposition  ar-diluted sih4  microcrystalline silicon  optical-properties  h films  plasma  pecvd  hydrogen  silane   Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using SiH4 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science & Technology, 2008, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 690-692 H. Cheng; A. M. Wu; N. L. Shi; L. S. Wen 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 Ar flow rate  ECR-PECVD  Poly-Si  Thin Films  chemical-vapor-deposition  microcrystalline silicon  low-temperatures  plasma  growth  transition  hydrogen   氮化硅钝化膜的制备和应用 期刊论文  OAI收割 量子电子学报, 2005, 卷号: 022 作者:  陈俊芳;  吴先球;  樊双利;  王鑫;  任兆杏   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/11/25 光电子学  ECR—PECVD  氮化硅钝化膜  芯片   射频偏置ECR-PECVD等离子体参数测量 期刊论文  OAI收割 核聚变与等离子体物理, 2004, 卷号: 024 -   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/10/26 射频偏置  ECR-PECVD  双探针  电子温度  等离子体密度  微波功率  磁场电流   等离子体离子能量自动分析器的研制和应用 期刊论文  OAI收割 电子学报, 2003, 卷号: 031 作者:  吴先球;  陈俊芳;  蒋珍美;  熊予莹;  吴开华   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2020/10/26 离子能量分布  器件损伤  自动能量分析器  ECR－PECVD   ECR—PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构 期刊论文  OAI收割 功能材料, 2003, 卷号: 034 作者:  吴先球;  陈俊芳;  熊予莹;  吴开华;  仁兆杏   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/11/25 ECR－PECVD  制备  氮化硅薄膜  键态结构