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• 期刊论文 [21]
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发表日期

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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Polarity Control within One Monolayer at ZnO/GaN Heterointerface: (0001) Plane Inversion Domain Boundary 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 43, 页码: 37651-37660 作者:  Li, Siqian;  Lei, Huaping;  Wang, Yi;  Ullah, Md Barkat;  Chen, Jun   |  收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2019/01/11 ZnO/GaN heterointerface  (0001) plane IDBs  polarity control  energetic stability  2DHG  2DEG   Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4 作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/09/17 zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics   Electrophilic Reaction Mechanism for Alkyl Monolayer Formation Initiated at Isolated Dangling Bonds of the H-GaN (0001) Surface: A Periodic Density Functional Theory Study 期刊论文  OAI收割 Journal of Physical Chemistry C, 2008, 卷号: 112, 期号: 43, 页码: 16932-16937 C. L. Hu; J. Q. Li; Y. Chen and W. F. Wang 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/01/22 gan(0001) surface  adsorption  silicon  molecules  model  chemisorption   First-principles calculations of ethanethiol adsorption and decomposition on GaN (0001) surface 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2008, 卷号: 254, 期号: 20, 页码: 6514-6520 C. L. Hu; Y. Chen; J. Q. Li and Y. F. Zhang 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/01/22 GaN (0001) surface  ethanethiol  DFT  adsorption  packing structure  thermal decomposition  self-assembled monolayers  bare semiconductor surfaces  density-functional theory  au(111)  molecules  chemisorption  interface  sulfur  energy   A buffer layer for ZnO film growth on sapphire 期刊论文  OAI收割 SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 602, 期号: 14, 页码: 2600 Zheng, K; Guo, QL; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ASSISTED MBE GROWTH  IRON-OXIDE LAYERS  THIN-FILMS  GAN  ALPHA-AL2O3(0001)  HETEROEPITAXY  SUBSTRATE  QUALITY   Surface and interface studies of GaN epitaxy on Si(111) via ZrB2 buffer layers 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2005, 卷号: 95, 期号: 26 Yamada-Takamura, Y; Wang, ZT; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK; Tolle, J; Liu, PL; Chizmeshya, AVG; Kouvetakis, J; Tsong, IST 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/24 TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  LIGHT-EMITTING-DIODES  GROUP-III NITRIDES  WAVE BASIS-SET  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  GROWTH  ZRB2(0001)  POLARITY  SI   Role of gallium wetting layer in high-quality ZnO growth on sapphire(0001) substrates 期刊论文  OAI收割 SCIENCE IN CHINA SERIES G-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2004, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 612 Zeng, ZQ; Wang, Y; Du, XL; Mei, ZX; Kong, XH; Jia, JF; Xue, QK; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALPHA-AL2O3(0001) SURFACE  POLARITY DEPENDENCE  GAN  FILMS  TERMINATION   Effect of sapphire substrate nitridation on the elimination of rotation domains in ZnO epitaxial films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 37, 期号: 21, 页码: 3058 Ying, MJ; Du, XL; Mei, ZX; Zeng, ZQ; Zheng, H; Wang, Y; Jia, JF; Zhang, Z; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 ALPHA-AL2O3(0001) SURFACE  BUFFER LAYER  GROWTH  GAN  TERMINATION   Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth 期刊论文  OAI收割 PHYSICS-USPEKHI, 2004, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 371 Bakhtizin, RZ; Xue, QZ; Xue, QK; Wu, KH; Sakurai, T 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION  COVERED GAN(0001) SURFACES  LIGHT-EMITTING DIODES  CUBIC GAN  ATOMIC-STRUCTURE  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  LATTICE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  SILICON-CARBIDE   Ce/GaN(0001) interfacial formation and electronic properties 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 943 Xiao, WD; Guo, QL; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/17 METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE  WURTZITE GAN SURFACES  SCHOTTKY CONTACTS  BARRIER HEIGHTS  GROWTH  FILMS  GAN(0001)-(1X1)  SI(111)  STATES  CE