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浏览/检索结果: 共49条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文  OAI收割 Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704 作者:  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Wang, J.;  Zhou, R.;  Sun, Q.   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/09/17 AlGaN  near-ultraviolet  laser  Si substrate  stress  defect  light-emitting-diodes  gan  efficiency  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Optics  Physics   Suppression of thermal degradation of InGaN/GaN quantum wells in green laser diode structures during the epitaxial growth 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 15 作者:  Yang, H(杨辉);  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Wang, HB(王怀兵);  Liu, JP（刘建平） 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2014/01/15 C-PLANE GAN  HYDROGEN TREATMENT  INDIUM SEGREGATION  SUBSTRATE  DEFECTS   Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文  OAI收割 Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828 J. C. Sun; Q. J. Feng; J. M. Bian; D. Q. Yu; M. K. Li; C. R. Li; H. W. Liang; J. Z. Zhao; H. Qiu; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/04/13 p-ZnO:N/n-GaN:Si hererojunction  LED  UV electroluminescence  MOCVD  chemical-vapor-deposition  zinc-oxide  n-zno  nitrogen  films  fabrication  substrate   Tunable p-Type Conductivity and Transport Properties of AlN Nanowires via Mg Doping 期刊论文  OAI收割 Acs Nano, 2011, 卷号: 5, 期号: 5, 页码: 3591-3598 Y. B. Tang; X. H. Bo; J. Xu; Y. L. Cao; Z. H. Chen; H. S. Song; C. P. Liu; T. F. Hung; W. J. Zhang; H. M. Cheng; I. Bello; S. T. Lee; C. S. Lee 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 aluminum nitride  nanowire arrays  Mg doping  tunable p-type  conductivity  field-effect transistors  aluminum nitride nanotubes  molecular-beam epitaxy  field-emission  thin-films  growth  gan  arrays  nanostructures  stability  substrate   Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  MOCVD  Si(111)  AlN  VAPOR-PHASE EPITAXY  LAYERS  SUBSTRATE  MOCVD  STRESS   Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：139/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemt  Mocvd  Sic substrate  Power device   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/02/02 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：141/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructures on semi-insulating GaN epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 103, 期号: 9 Mei, F; Fu, QM; Peng, T; Liu, C; Peng, MZ; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 FE-DOPED GAN  GAN/SAPPHIRE INTERFACE  (-/0)-ACCEPTOR LEVEL  HEMT STRUCTURES  SAPPHIRE  LAYER  DISLOCATION  ENHANCEMENT  SUBSTRATE  TRANSPORT