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共51条,第1-10条
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Epitaxial integration of 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.3PbTiO(3) (111) thin films on GaN (0002) with La0.5Sr0.5CoO3/TiO2 buffer layers
期刊论文
OAI收割
MATERIALS LETTERS, 2018, 卷号: 216, 页码: 224, 227
作者:
Li, Guanjie
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提交时间:2018/12/28
Ferroelectrics
Thin films
Epitaxial growth
PMN-PT
GaN
Physical vapour deposition
Insertion of NiO electron blocking layer in fabrication of GaN-organic heterostructures
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 3
作者:
Bo, Baoxue
;
Li, Junmei
;
Guo, Wei
;
Jiang, Jie'an
;
Gao, Pingqi
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2018/12/04
Light-emitting-diodes
Single-crystal Gan
Thin-films
Photodetectors
Heterojunction
Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Shen, D. Z.
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提交时间:2019/09/17
zinc oxide
p-type
self-compens-tion
doping
molecular-beam epitaxy
thin-films
room-temperature
mgzno films
diodes
nanoparticles
modulation
gan(0001)
inversion
epilayers
Physics
Dislocation-Induced Nanoparticle Decoration on a GaN Nanowire
期刊论文
OAI收割
Acs Applied Materials & Interfaces, 2015, 卷号: 7, 期号: 4, 页码: 2790-2796
B.
;
Yuan Yang, F.
;
Liu, Q. Y.
;
Huang, N.
;
Qiu, J. H.
;
Staedler, T.
;
Liu, B. D.
;
Jiang, X.
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提交时间:2015/05/08
GaN
nanostructures
dislocation
nucleation
growth
oxide nanowires
growth-process
thin-films
morphology
heterojunctions
microstructure
nanostructures
emission
nanorods
arrays
Pyramidal dislocation induced strain relaxation in hexagonal structured InGaN/AlGaN/GaN multilayer
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 8
P. F. Yan
;
K. Du
;
M. L. Sui
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提交时间:2013/02/05
quantum-well structures
light-emitting-diodes
deformation mechanisms
metallic multilayers
thin-films
misfit dislocations
ingan epilayers
composites
interfaces
gan
First principles study the ferromagnetic properties and electronic structure of boron doped ZnSe
期刊论文
OAI收割
Solid State Communications, 2012, 卷号: 152, 期号: 16, 页码: 1551-1555
S. W. Fan
;
L. J. Ding
;
Z. L. Wang
;
K. L. Yao
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/02/05
Diluted magnetic semiconductor
Ferromagnetic properties
Electronic
structure
thin-films
room-temperature
magnetism
tio2
anatase
zno
origin
gan
Tunable p-Type Conductivity and Transport Properties of AlN Nanowires via Mg Doping
期刊论文
OAI收割
Acs Nano, 2011, 卷号: 5, 期号: 5, 页码: 3591-3598
Y. B. Tang
;
X. H. Bo
;
J. Xu
;
Y. L. Cao
;
Z. H. Chen
;
H. S. Song
;
C. P. Liu
;
T. F. Hung
;
W. J. Zhang
;
H. M. Cheng
;
I. Bello
;
S. T. Lee
;
C. S. Lee
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提交时间:2012/04/13
aluminum nitride
nanowire arrays
Mg doping
tunable p-type
conductivity
field-effect transistors
aluminum nitride nanotubes
molecular-beam epitaxy
field-emission
thin-films
growth
gan
arrays
nanostructures
stability
substrate
Tuning Surface Wettability of In(x)Ga((1-x))N Nanotip Arrays by Phosphonic Acid Modification and Photoillumination
期刊论文
OAI收割
Langmuir, 2011, 卷号: 27, 期号: 21, 页码: 13220-13225
作者:
Su RG(苏瑞巩)
;
Liu HB
;
Kong T
;
Song Q
;
Li N(李宁)
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/04/01
Self-Assembled Monolayers
Nanowire Arrays
Gallium Nitride
Thin-Films
Tio2
Gan
Water
Zno
Irradiation
Conversion
Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on gamma-LiAlO2 (302) substrates by MOCVD
期刊论文
OAI收割
Applied Surface Science, 2010, 卷号: 257, 期号: 4, 页码: 1181-1184
作者:
Qiu YX (邱永鑫)
;
Huang J (黄俊)
;
Xu K (徐科)
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提交时间:2011/03/13
Semiconductors
Thin films
Surfaces
Luminescence
Nonpolar
GaN
Wing tilt investigations on GaN epilayer grown on maskless grooved sapphire by MOCVD
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2010, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 1503
Yu, NS
;
Zhu, XL
;
Peng, MZ
;
Zhou, JM
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提交时间:2013/09/23
VAPOR-PHASE EPITAXY
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THIN-FILMS
ALPHA-GAN
MICROSCOPY