机构

• 合肥物质科学研究院 [2]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 上海应用物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2018 [1]
• 2016 [2]
• 2012 [1]

学科主题

• Science & ... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9 作者:  Jiang, Shanshan;  He, Gang;  Liu, Mao;  Zhu, Li;  Liang, Shuang   |  收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2019/06/10 electrical properties  forming gas annealing  high-k gate dielectrics  interface chemistry  metal-oxide-semiconductor capacitors   Microstructure, optical and electrical properties of sputtered HfFiO high-k gate dielectric thin films 期刊论文  OAI收割 CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 11640-11649 作者:  Jiang, S. S.;  He, G.;  Gao, J. 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2017/10/18 Electrical Properties  High-k Gate Dielectrics  Metal-oxide-semiconductor  Conduction Mechanisms  Sputtering   Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 49-54 作者:  Wang, GL;  Qin, CL;  Yin, HX;  Luo, J;  Duan, NY 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2017/03/02 FinFET  SiGe selective epitaxy  RPCVD  High-k & metal gate   Interface dipole engineering in metal gate/high-k stacks 期刊论文  OAI收割 CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 22, 页码: 2872-2878 Huang, AP; Zheng, XH; Xiao, ZS; Wang, M; Di, ZF; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/04/17 high-k dielectrics  metal gate  interface dipole  MOS stack  effective work function