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发表日期

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学科主题

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• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Enhancement of in-plane thermal conductivity of flexible boron nitride heat spreaders by micro/nanovoid filling using deformable liquid metal nanoparticles 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2023, 页码: 11 作者:  Tao, Pei-Di;  Wang, Shao-Gang;  Chen, Lu;  Ying, Jun-Feng;  Lv, Le   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2024/01/08 Boron nitride nanosheet  Liquid metal  Eutectic gallium-indium  In-plane thermal conductivity  Heat spreader   1 meV electron irradiation and post-annealing effects of GaInAsN diluted nitride alloy with 1 eV bandgap energy 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2020, 卷号: 709, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Sailai, M (Sailai, Momin)[ 1 ];  Lei, QQ (Lei, Qi Qi)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 1,3 ];  Heini, M (Heini, Maliya)[ 1,4 ];  Zhao, XF (Zhao, Xiao Fan)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2020/10/23 Gallium indium arsenide nitride alloy  Electron irradiation  Photoluminescence  Thermal annealing  Arrhenius plot   Photoconductivity of InN grown by MOVPE: Low temperature and weak light illumination 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 110, 期号: 4 作者:  Kang TT;  Zhang YH;  Chen PP;  Wang ZH;  Yamamoto A   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2018/11/20 NEGATIVE PHOTOCONDUCTIVITY  INDIUM NITRIDE   The explanation of inn bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155 作者:  Liu, Chaoren 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 First principle calculation  Indium nitride  Band gap  Defect   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：126/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/02/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 83003 Bi, Yang; Wang, Xiaoliang; Xiao, Hongling; Wang, Cuimei; Yang, Cuibai; Peng, Enchao; Lin, Defeng; Feng, Chun; Jiang, Lijuan, 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/06/14 Aluminum  Electron mobility  Gallium nitride  High electron mobility transistors  Indium  Poisson equation  Polarization  Two dimensional electron gas   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：45/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文  OAI收割 physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2011, 2011, 卷号: 375, 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155, 1152-1155 作者:  Liu CR;  Li JB;  Liu, CR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. supermanliu5@semi.ac.cn;  jbli@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：62/6  |  提交时间：2011/07/05 First principle calculation  Indium nitride  Band gap  Defect  INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  AUGMENTED-WAVE METHOD  INDIUM NITRIDE  GAP  PSEUDOPOTENTIALS  SEMICONDUCTORS  IMPURITIES  ABSORPTION  DEFECTS  ALLOYS  First Principle Calculation  Indium Nitride  Band Gap  Defect  Initio Molecular-dynamics  Augmented-wave Method  Indium Nitride  Gap  Pseudopotentials  Semiconductors  Impurities  Absorption  Defects  Alloys   Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer 期刊论文  OAI收割 Thin Solid Films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031 作者:  Zhang SM;  Yang H (杨辉) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/03/13 Gallium Nitride  Indium Gallium Nitride  Cathodeluminescence  X-ray Diffraction  Metal-Organic Chemical Vapor Deposition