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• 半导体研究所 [34]
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内容类型

• 期刊论文 [36]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2015 [2]
• 2013 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [16]
• 光电子学 [4]

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浏览/检索结果: 共37条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10 作者:  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/01/13 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804 Lu GJ (Lu Guo-Jun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Wang YT (Wang Yu-Tian); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：120/2  |  提交时间：2010/04/22 metalorganic chemical vapor deposition  Al1-xInxN  gradual variation in composition  optical reflectance spectra  X-RAY-DIFFRACTION  PHASE EPITAXY  RELAXATION  FILMS  HETEROSTRUCTURES  SEPARATION  DYNAMICS  ALLOYS  REGION  LAYERS   Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：139/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   Annealing behaviors of long-wavelength inas/gaas quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284 作者:  Liang, S.;  Zhu, H. L.;  Ye, X. L.;  Wang, W. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Metalorganic vapor phase epitaxy  Self-assembled quantum dots  Indium arsenide   Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284 作者:  Ye XL;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2010/03/08 Photoluminescence  Metalorganic vapor phase epitaxy  Self-assembled quantum dots  Indium arsenide   Photoluminescence study of algainp/gainp quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144 作者:  Lin, T.;  Zheng, K.;  Wang, C. L.;  Ma, X. Y. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Metalorganic vapor phase epitaxy  Semiconducting iii-v materials  Laser diodes   Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144 Lin, T; Zheng, K; Wang, CL; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：39/3  |  提交时间：2010/03/08 diffusion  metalorganic vapor phase epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes   Growth of inas quantum dots on vicinal gaas (100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 477-484 作者:  Liang, S;  Zhu, HL;  Pan, JQ;  Ye, XL;  Wang, W 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Bimodal size distribution  Metalorganic vapor phase epitaxy  Self-assembled quantum dots  Indium arsenide