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微电子研究所 [6]
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新疆理化技术研究所 [1]
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OAI收割 [11]
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期刊论文 [10]
学位论文 [1]
发表日期
2020 [1]
2011 [1]
2010 [1]
2008 [2]
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空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
梁晓雯
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提交时间:2020/11/19
SiC MOSFET
栅氧可靠性
总剂量效应
单粒子效应
潜损伤
安全工作区
高k材料Ta_2O_5结构与电学性质的研究
期刊论文
OAI收割
功能材料, 2011, 期号: 07
陈息林
;
余涛
;
吴雪梅
;
董尧君
;
诸葛兰剑
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提交时间:2012/04/13
高k栅介质
Ta2O5
MOSFET器件
微结构
电学性质
电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究
期刊论文
OAI收割
传感器与微系统, 2010, 期号: 10
张圣
;
焦继伟
;
葛道晗
;
顾佳晔
;
严培力
;
张颖
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提交时间:2012/01/06
高K栅介质
HfO_2
Hf基高K栅介质材料
MOSFET器件
PD;SOI;MOSFET低频噪声研究进展
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 6,817-822
作者:
范雪梅
;
毕津顺
;
刘梦新
;
杜寰
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提交时间:2010/05/27
Pd
Soi
Mosfet
低频噪声
浮体效应
前背栅耦合效应
中医用高精度阵列脉搏传感器的设计
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 5,701-705
作者:
淮永进
;
韩郑生
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提交时间:2010/05/27
阵列传感器
压力传感器
Mosfet栅
线性度
超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 5,93-96,99
作者:
王志玮
;
徐秋霞
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提交时间:2010/05/26
双栅mosfet
自对准
亚微米工艺
假栅
电机驱动IC芯片中功率输出管的版图设计
期刊论文
OAI收割
杭州电子科技大学学报, 2005, 期号: 05
董艳燕
;
邓先灿
;
夏冠群
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提交时间:2012/01/06
纳米MOSFET
SOI
双栅MOSFET
FinFET
SiGe/Si
CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理及分析
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 6,921-926
作者:
仇玉林
;
金湘亮
;
陈杰
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提交时间:2010/05/25
栅感应噪声
像素mosfet
改进的aps
Cmos图像传感器
新结构MOSFET
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2003, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 5,527-530,533
作者:
林钢
;
徐秋霞
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提交时间:2010/05/25
平面双栅mosfet
Finfet
三栅mosfet
环形栅mosfet 竖直结构mosfet
集成电路
亚50nm自对准双栅MOSFET的结构设计
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 8,1267_1274
作者:
徐秋霞
;
殷华湘
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提交时间:2010/05/25
亚50nm
自对准双栅
Mosfet
结构设计
侧墙效应
Scd