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• 期刊论文 [9]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A comprehensive investigation of MoO3 based resistive random access memory 期刊论文  OAI收割 RSC ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 33, 页码: 19337-19345 作者:  Fatheema, Jameela;  Shahid, Tauseef;  Mohammad, Mohammad Ali;  Islam, Amjad;  Malik, Fouzia   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2020/12/16 SWITCHING CHARACTERISTICS  NONVOLATILE MEMORY  LOW-POWER  PERFORMANCE  MECHANISMS  SUBSTRATE  DEVICES  RRAM   Organic and hybrid resistive switching materials and devices 期刊论文  OAI收割 CHEMICAL SOCIETY REVIEWS, 2019, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 1531-1565 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/12/18 NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE  FLEXIBLE NONVOLATILE MEMORY  SINGLE-ATOM SUBSTITUTION  GRAPHENE QUANTUM DOTS  THIN-FILMS  CONJUGATED-POLYMER  MEMRISTIVE DEVICES  HALIDE PEROVSKITES  CARBON NANOTUBES  FACILE SYNTHESIS   Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1 作者:  Lanza, Mario;  Wong, H-S Philip;  Pop, Eric;  Ielmini, Daniele;  Strukov, Dimitri   |  收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2019/12/18 HEXAGONAL BORON-NITRIDE  ALIGNED CARBON NANOTUBES  SPICE COMPACT MODEL  NONVOLATILE MEMORY  RRAM DEVICES  THIN-FILM  DIELECTRIC-BREAKDOWN  MEMRISTIVE BEHAVIOR  PHYSICAL MODEL  NANOSCALE   Quenching of Spin Polarization Switching in Organic Multiferroic Tunnel Junctions by Ferroelectric "Ailing-Channel" in Organic Barrier 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 36, 页码: 30614-30622 作者:  Desfeux, Rachel;  Li, Xiaoguang;  Migot, Sylvie;  Chaudhuri, Debapriya;  Yang, Hongxin   |  收藏  |  浏览/下载：189/0  |  提交时间：2018/12/04 Nonvolatile Memory  Spinterface  Valves  Films  Semiconductors  Storage  Polymer  Devices   Soluble reduced graphene oxide functionalized with conjugated polymer for heterojunction solar cells 期刊论文  OAI收割 journal of polymer science part a-polymer chemistry, 2012, 卷号: 50, 期号: 9, 页码: 1663-1671 Li YX; Pan Z; Fu YY; Chen Y; Xie ZY; Zhang B 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/05/22 NONVOLATILE REWRITABLE MEMORY  DONOR-ACCEPTOR HETEROJUNCTIONS  PHOTOVOLTAIC CELLS  EFFICIENT  FLUORENE  DEVICES  UNITS   Integration of Self-Assembled Redox Molecules in Flash Memory Devices 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 826-834 作者:  Shaw, Jonathan;  Zhong, Yu-Wu;  Hughes, Kevin J.;  Hou, Tuo-Hung;  Raza, Hassan   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/04/09 Coulomb Blockade Effect  High-kappa Dielectric  Nonvolatile Memory Devices  Reduction-oxidation (Redox)-active Molecules  Self-assembled Monolayer (Sam)   Control of the epitaxial orientation and reduction of the interface leakage current in YMnO3/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 18 Wu, H; Yuan, J; Peng, T; Pan, Y; Han, T; Shen, K; Zhao, BR; Liu, C 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 NONVOLATILE MEMORY DEVICES  THIN-FILMS  PLATINUM-ELECTRODES  GROWTH  DEPOSITION  SI  CANDIDATE  OXIDES  FIELD   Intrinsic Memory Function of Carbon Nanotube-based Ferroelectric Field-Effect Transistor 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2009, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 921 Fu, WY; Xu, Z; Bai, XD; Gu, CZ; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/18 ACCESS MEMORY  DEAD LAYER  NONVOLATILE  PERFORMANCE  DEVICES  CAPACITORS  FILM   Control of the epitaxial orientation and reduction of the interface leakage current in YMnO3/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 18, 页码: 185302-185302 Wu, H; Yuan, J; Peng, T; Pan, Y; Han, T; Shen, K; Zhao, BR; Liu, C 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/03/24 NONVOLATILE MEMORY DEVICES  THIN-FILMS  PLATINUM-ELECTRODES  GROWTH  DEPOSITION  SI  CANDIDATE  OXIDES  FIELD