机构

• 半导体研究所 [10]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 2002 [3]
• 2001 [1]
• 2000 [4]
• 1999 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [7]
• 半导体物理 [2]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The Raman spectroscopy of neutron transmutation doping isotope (74)Germanium nanocrystals embedded in SiO2 matrix 期刊论文  OAI收割 Solid State Communications, 2007, 卷号: 141, 期号: 9, 页码: 514-518 Y. W. Hu; T. C. Lu; S. B. Dun; Q. Hu; N. K. Huang; S. B. Zhang; B. Tang; J. L. Dai; L. Resnick; I. Shlimak; S. Zhu; Q. M. Wei; L. M. Wang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/13 isotope Ge nanocrystals  transmuted impurities  laser Raman scattering  neutron transmutation doping  visible photoluminescence  semiinsulating gaas  hopping conduction  thin-films  scattering  germanium  sio2-films  plasmons  phonons  growth   Characteristics of THz emission from GaAs crystal excited by 400 nm and 800 nm optical pulses 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2123 Yang, YP; Xu, XL; Yan, W; Wang, L 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/17 TEMPERATURE-GROWN GAAS  SEMIINSULATING GAAS  TERAHERTZ RADIATION  GENERATION  ANTENNAS   Space grown semi-insulating gallium arsenide single crystal and its application 会议论文  OAI收割 g0 1 symposium of cospar scientific commission g held at the 33rd cospar scientific assembly, warsaw, poland, jul, 2000 Chen NF; Zhong XR; Zhang M; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 SEMIINSULATING GAAS  STOICHIOMETRY  DEFECTS   Positron-annihilation study of compensation defects in InP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 1998-2001 Shan YY; Deng AH; Ling CC; Fung S; Ling CD; Zhao YW; Sun TN; Sun NF 收藏  |  浏览/下载：106/9  |  提交时间：2010/08/12 UNDOPED SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  LIFETIME  VACANCY  MECHANISMS  ACCEPTOR  GROWTH  GAAS   Space grown semi-insulating gallium arsenide single crystal and its application 期刊论文  OAI收割 impact of the gravity level on materials processing and fluid dynamics, 2002, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 537-540 Chen NF; Zhong XR; Zhang M; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：86/11  |  提交时间：2010/08/12 SEMIINSULATING GAAS  STOICHIOMETRY  DEFECTS   Effect of as interstitial diffusionon on the properties of undoped semi-insulating LECGaAs 期刊论文  OAI收割 rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 187-191 Yang RX; Zhang FQ; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：103/3  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating GaAs  intrinsic acceptor defects  As interstitial indiffusion  As pressure  annealing  SEMIINSULATING GAAS   Semi-insulating GaAs grown in outer space 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON   The investigations on semi-insulating GaAs by surface photovoltaic spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 15-18 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 surface photovoltaic spectroscopy  SI-GaAs  nondetructive technique  UNDOPED SEMIINSULATING GAAS   Point defects in III-V compound semiconductors 期刊论文  OAI收割 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93 Chen N 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 compound semiconductors  point defects  deep level centres  stoichiometry  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRICAL-PROPERTIES  LATTICE-PARAMETER  NATIVE DEFECTS  CARBON  DIFFRACTOMETER  STOICHIOMETRY   Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文  OAI收割 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/11/15 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON