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浏览/检索结果: 共40条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Molecular dynamics simulation of helium ion implantation into silicon and its migration 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 456, 页码: 53-59 作者:  Liu L;  Xu ZW;  Li RR;  Zhu R;  Xu J   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/10/14 Molecular dynamics simulation  Ion implantation  Helium  Si  Annealing   Transmission electron microscopy and high-resolution electron microscopy studies of structural defects induced in Si single crystals implanted by helium ions at 600 degrees C 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 455, 页码: 433-437 作者:  Han, W. T.;  Liu, H. P.;  Li, B. S.   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/10/08 He implantation  Si  Transmission electron microscopy  Cavities  Frank loops   Effects of annealing temperature on buried oxide precipitates in He and O co-implanted Si 期刊论文  OAI收割 VACUUM, 2013, 卷号: 93, 期号: 93, 页码: 22-27 作者:  Zhong, YR;  Li, BS;  Wang, BY;  Qin, XB;  Zhang, LQ   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2015/10/15 Ion implantation  Oxide precipitates  Si-O stretching band  Vacancy-type defects  Microstructures   Effects of annealing temperature on buried oxide precipitates in He and O co-implanted Si 期刊论文  OAI收割 VACUUM, 2013, 卷号: 93, 页码: 22-27 作者:  Li, BS;  Zhang, CH;  Wang, ZG;  Zhong, YR;  Wang, BY 收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2016/04/08 Ion implantation  Oxide precipitates  Si-O stretching band  Vacancy-type defects  Microstructures   Influence of Si nanocrystal embedded in BOX on radiation and electrical properties of SOI wafer 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 257-260 Bi, DW; Zhang, ZX; Chen, M; Wu, AM; Wei, X; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/04/17 SOI  Ion implantation  Si nanocrystal  Pseudo-MOS   Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 19, 页码: 194101-194101 Di, ZF; Huang, MQ; Wang, YQ; Nastasi, M 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 SINGLE-CRYSTAL SILICON  INDUCED PLATELETS  IMPLANTATION  SI  TEMPERATURE  EXFOLIATION  COMPLEXES  FLUENCE  CUT   The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903 Ou, X; Kogler, R; Mucklich, A; Skorupa, W; Moller, W; Wang, X; Vines, L 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  SOI MOSFETS  SILICON  SI  HELIUM  SEPARATION  DEFECTS  TEMPERATURE  HYDROGEN  BUBBLES   Ge nano-layer fabricated by high-fluence low-energy ion implantation 期刊论文  OAI收割 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2006, 卷号: 250, 页码: 183-187 T. C. Lu; S. B. Dun; Q. Hu; S. B. Zhang; Z. An; Y. M. Duan; S. Zhu; Q. M. Wei; L. M. Wang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/14 Ge nano-layer  ion implantation  laser Raman scattering  photoluminescence  transmission electron microscopy  X-ray diffraction  sio2 film  nanocrystals  photoluminescence  sio2-films  emission  si1-xgex  matrix  growth  silica  blue   Format ion of silicon on plasma synthesized aluminum nitride structure by ion cutting 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2748-2753 Zhu, M; Chen, P; Fu, RKY; Liu, WL; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 SMART-CUT(R) PROCESS  IMPLANTATION  FILMS  INSULATOR  TECHNOLOGY  DIAMOND  FABRICATION  DEPOSITION  NITROGEN  SI