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• 上海微系统与信息技... [12]
• 微电子研究所 [3]

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• OAI收割 [15]

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• 期刊论文 [8]
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• 会议论文 [2]

发表日期

• 2012 [2]
• 2008 [2]
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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 600V SOI高压器件的设计与性能的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 王中健 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/04/24 SOI  LDMOS  LIGBT  高压器件  功率集成电路   基于SCR的SOI ESD保护器件研究 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2012, 期号: 1, 页码: 17-22 夏超; 王中健; 何大伟; 徐大伟; 张有为; 程新红; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/02/22 SOI ESD  SCR  Sentaurus  保护器件   源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6，1007-1012 作者:  韩郑生;  宋文斌;  许高博;  曾传滨   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅soi  Esd  源漏硅化物  二次击穿  导通电阻  栅接地nmos器件   PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 贺威 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘体上硅（SOI）  　总剂量辐射效应  　器件模型　   采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文) 期刊论文  OAI收割 高能物理与核物理, 2007, 期号: 04 贺威; 张正选; 张恩霞; 钱聪; 田浩; 王曦 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI材料  功率器件  LDMOS功率   硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响 期刊论文  OAI收割 微电子学与计算机, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 28-30 作者:  韩郑生;  孙宝刚;  邵红旭;  吴峻峰   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi  槽栅mos器件  短沟道效应  热载流子效应   In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2005, 期号: 02 郝国强; 张永刚; 顾溢; 刘天东; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 图形化SOI技术  LDMOS  射频功率器件  增益   图形化SOI射频功率器件研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2005 程新红   收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/03/06 图形化SOI  LDMOSFET  射频功率器件  增益  高-k栅介质     SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析 会议论文  OAI收割 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会, 2004 朱鸣; 林青; 张正选; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/18 半导体器件 体硅材料 浮体效应 SOI电路 SiGe源结构   SOI RESURF原理研究及SOI LDMOS研制 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2004 杨文伟   收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2012/03/06 SOI PICs  功率器件  RESURF原理  TDDB  等效势垒