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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A Tunnel Diode Body Contact Structure for High-Performance SOI MOSFETs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 101-107 Luo, JX; Chen, J; Wu, QQ; Chai, Z; Zhou, JH; Yu, T; Dong, YJ; Li, L; Liu, W; Qiu, C; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/04/17 Body contact  floating-body effects (FBEs)  kink effect  linear kink effect (LKE)  partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI)  SOI MOSFETs  tunnel diode  tunnel diode body contact (TDBC)   Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: H104-H108 Ma, XB; Liu, WL; Liu, XY; Du, XF; Song, ZT; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 N-MOSFETS  SILICON  FABRICATION  TECHNOLOGY  LAYERS  RELAXATION  ELECTRON  SIMOX  SOI   TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS JOURNAL, 2009, 卷号: 40, 期号: 12, 页码: 1766-1771 Xiao, DY; Wang, X; Yu, YH; Chen, J; Zhang, M; Xue, ZY; Luo, JX 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2012/03/24 SOI MOSFETS  MODEL   The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903 Ou, X; Kogler, R; Mucklich, A; Skorupa, W; Moller, W; Wang, X; Vines, L 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  SOI MOSFETS  SILICON  SI  HELIUM  SEPARATION  DEFECTS  TEMPERATURE  HYDROGEN  BUBBLES   全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 6，2303-2308 作者:  韩郑生;  李瑞贞   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26 全耗尽soi  Mosfets  表面势  阚值电压   Patterned silicon-on-insulator technology for RF power LDMOSFET 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2005, 卷号: 81, 期号: 1, 页码: 150-155 Cheng, XH; Song, ZR; Dong, YM; Yu, YH; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 SOI  MOSFETS   Patterned buried oxide layers under a single MOSFET to improve the device performance 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: L25-L28 Dong, YM; Chen, M; Chen, J; Wang, X; Wang, X; He, P; Lin, X; Tian, LL; Li, ZJ 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 SOI MOSFETS  IMPLANTATION  SEPARATION   A new structure of silicon-on-insulator metal-oxide- semiconductor field effect transistor to suppress the floating body effect 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 767-769 Zhu, M; Lin, Q; Zhang, ZX; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 SOI MOSFETS