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• OAI收割 [8]

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• 期刊论文 [4]
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• 学位论文 [2]

发表日期

• 2021 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6 作者:  Gao, J.;  Zhang, Q.;  Xi, K.;  Li, B.;  Wang, C.   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2022/01/24 SEE  SEU  SOI SRAM  C   基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文  OAI收割 工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者:  刘丽 收藏  |  浏览/下载：230/0  |  提交时间：2015/09/02 绝缘体上硅  KFZ加固  单粒子翻转  静态随机存储器  silcon-on-insulator(SOI)  radiation hardness  sigle event upset(SEU)  static random access memory(SRAM)   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, Tianqi;  Geng, Chao;  Zhang, Zhangang;  Zhao, Fazhan;  Hou, Mingdong   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文  OAI收割 作者:  Liu, Jie;  Sun, Youmei;  Tong, Teng;  Zhao, Fazhan;  Zhang, Zhangang   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies   SOI CMOS静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2011 作者:  李明   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/05/24 Soi  Sram  总剂量辐射效应  评估技术  实验方法   Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 1, 页码: 83-86 作者:  Li Yonghong;  He Chaohui;  Zhao Fazhan;  Guo Tianlei;  Liu Gang   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/10/29 SOI SRAM  Single event upset  Single event upset rate   SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟 期刊论文  OAI收割 核电子学与探测技术, 2008, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 5，159-162,205 作者:  赵发展;  郭天雷;  海潮和;  彭菲   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/27 单粒子效应  Soi  Sram  加固   CMOS／SOI 64-kB SR AM抗ESD实验 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 636-639 作者:  海潮和;  汤仙明;  韩郑生;  周小茵;  赵立新   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi  Esd  栅控二极管  Sram