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Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM
期刊论文
OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6
作者:
Gao, J.
;
Zhang, Q.
;
Xi, K.
;
Li, B.
;
Wang, C.
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基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究
学位论文
OAI收割
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
刘丽
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Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices
会议论文
OAI收割
作者:
Liu, Tianqi
;
Geng, Chao
;
Zhang, Zhangang
;
Zhao, Fazhan
;
Hou, Mingdong
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收藏
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Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices
会议论文
OAI收割
作者:
Liu, Jie
;
Sun, Youmei
;
Tong, Teng
;
Zhao, Fazhan
;
Zhang, Zhangang
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收藏
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SOI CMOS静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李明
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Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 1, 页码: 83-86
作者:
Li Yonghong
;
He Chaohui
;
Zhao Fazhan
;
Guo Tianlei
;
Liu Gang
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收藏
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SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟
期刊论文
OAI收割
核电子学与探测技术, 2008, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 5,159-162,205
作者:
赵发展
;
郭天雷
;
海潮和
;
彭菲
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CMOS/SOI 64-kB SR AM抗ESD实验
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 636-639
作者:
海潮和
;
汤仙明
;
韩郑生
;
周小茵
;
赵立新
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