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采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 学位论文 [3]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2017 [1]
• 2016 [1]
• 2015 [1]
• 2009 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [2]
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• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 孔祥挺 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2017/06/05 InGaAs沟道  高迁移率  MOSFET  Ge/Si衬底   Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 张硕 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/06/12 AlN  溅射法  Si（100）衬底  氧污染  椭偏测量   硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 冯玉霞 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/06/02 Si衬底  AlN  GaN  生长机制  应力   SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2009, 卷号: 030 作者:  康朝阳;  赵朝阳;  刘峥嵘;  孙柏;  唐军   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2020/11/25 ZnO薄膜  Si（111）衬底  SiC缓冲层  光电性能   在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe 期刊论文  OAI收割 红外, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 29-24 作者:  傅祥良   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2011/11/14 分子束外延  Si衬底  Ge衬底  Cdte  Hgcdte  晶向  晶格失配   在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 期刊论文  OAI收割 中国激光, 2004, 期号: 03, 页码: 297-300 作者:  张振中 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/03/11 薄膜物理学  Si衬底  ZnCdSe/ZnSe量子阱  低压金属有机化学气相淀积   Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响 期刊论文  OAI收割 光电子·激光, 2003, 期号: 08, 页码: 783-786 作者:  申德振 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/03/11 ZnO  Si衬底  氮化  等离子增强化学气相沉积(PECVD)   ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2003, 期号: 01, 页码: 61-65 作者:  申德振;  张振中 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/03/11 硒化锌薄膜  Si衬底  ZnO缓冲层  LP-MOCVD   SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备 会议论文  OAI收割 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会, 2003 安正华; 刘卫丽; 张苗; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/18 SIMOX制备 化学气相淀积 Si衬底 退火工艺 SiGeOI结构   Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2002, 期号: 04, 页码: 330-334 作者:  申德振;  张振中 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/11 ZnSe外延膜  Si衬底  低压MOCVD