机构

• 长春光学精密机械与物... [5]
• 半导体研究所 [3]
• 金属研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 上海技术物理研究所 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 学位论文 [3]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2017 [1]
• 2016 [1]
• 2015 [1]
• 2009 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体器件 [1]
• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 孔祥挺 收藏  |   Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 张硕 收藏  |   硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 冯玉霞 收藏  |   SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2009, 卷号: 030 作者:  康朝阳;  赵朝阳;  刘峥嵘;  孙柏;  唐军   |  收藏  |   在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe 期刊论文  OAI收割 红外, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 29-24 作者:  傅祥良   |  收藏  |   在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 期刊论文  OAI收割 中国激光, 2004, 期号: 03, 页码: 297-300 作者:  张振中 收藏  |   Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响 期刊论文  OAI收割 光电子·激光, 2003, 期号: 08, 页码: 783-786 作者:  申德振 收藏  |   ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2003, 期号: 01, 页码: 61-65 作者:  申德振;  张振中 收藏  |   SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备 会议论文  OAI收割 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会, 2003 安正华; 刘卫丽; 张苗; 林成鲁 收藏  |   Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2002, 期号: 04, 页码: 330-334 作者:  申德振;  张振中 收藏  |