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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Molecular dynamics simulation of energetic Cu-55 clusters deposition on a Fe (001) surface 期刊论文  OAI收割 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2015, 卷号: 97, 页码: 165—171 作者:  Zhang, SX;  Li, GP;  Gong, HF;  Gao, N;  Chen, XZ 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/12/09 CU/FE/CU/SI(111) ULTRATHIN FILMS  COMPUTER-SIMULATION  MAGNETIC-PROPERTIES  CU  SUBSTRATE  LAYERS   Low energy Cu clusters slow deposition on a Fe (001) surface investigated by molecular dynamics simulation 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 314, 页码: 433—442 Zhang, SX; Gong, HF; Chen, XZ; Li, GP; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2015/03/13 CU/FE/CU/SI(111) ULTRATHIN FILMS  COMPUTER-SIMULATION  COPPER CLUSTERS  MAGNETIC-PROPERTIES  BEAM DEPOSITION  CONTACT EPITAXY  THIN-FILMS  MULTILAYERS  SUBSTRATE  GROWTH   Surface characterization of algan grown on si (111) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  Algan epilayers   Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/02/02 Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  AlGaN epilayers   Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  MOCVD  Si(111)  AlN  VAPOR-PHASE EPITAXY  LAYERS  SUBSTRATE  MOCVD  STRESS   Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：137/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR 期刊论文  OAI收割 MODERN PHYSICS LETTERS B, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887 Zhang, B; Chen, J; Wang, X; Wu, AM; Luo, JX; Wang, X; Zhang, MA; Wu, YX; Zhu, JJ; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/11/04 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SI(111)  FILMS  REDUCTION  GROWTH  SUBSTRATE  STRESS   Effects of ZnO interlayers on thick GaN/Si film prepared by RF magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 258 Zhang, CG; Blan, LF; Chen, WD; Hsu, CC 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 TEMPERATURE ALN INTERLAYER  DOPED GALLIUM NITRIDE  INFRARED ELECTROLUMINESCENCE  SI(111) SUBSTRATE  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  ER  EU   Effect of nitridation on the growth of GaN on ZrB2 (0001)/Si(111) by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 100, 期号: 3 Wang, ZT; Yamada-Takamura, Y; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK; Tolle, J; Kouvetakis, J; Tsong, IST 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  GROUP-III NITRIDES  BUFFER LAYER  SUBSTRATE  ZRB2(0001)  SI(111)  SURFACE   Preparation and characterization of GaN films by radio frequency magnetron sputtering and carbonized-reaction technique 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2006, 卷号: 252, 期号: 6, 页码: 2153 Zhang, CG; Chen, WD; Bian, LF; Song, SF; Hsu, CC 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/24 NITRIDE THIN-FILMS  TEMPERATURE  SUBSTRATE  SI(111)