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• 期刊论文 [8]
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发表日期

• 2015 [1]
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学科主题

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• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Scheduling method for single-arm multi-cluster tools with residency time constraints 会议论文  OAI收割 2015 IEEE International Conference on Cyber Technology in Automation, Control, and Intelligent Systems (CYBER), Shenyang, China, June 8-12, 2015 作者:  Hu JT(胡静涛) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/03/12 semiconductor manufacutory  multiple-cluster tools  residency time cosntraints  buffer/process mudules  single-arm robot  scheduling analysis   Reel-to-Reel Deposition of Reactively Sputtered LaZrO Buffer Layers on Textured NiW Tapes for YBaCuO Coated Conductors 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM, 2012, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 773-777 Fan, F; Lu, YM; Liu, ZY; Ying, LL; Cai, CB 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2013/04/17 Coated conductors  Single buffer  Sputtering  Reel-to-reel  Metallic substrates  Biaxial texture   Ordered ultra thin ZnO films on metal substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 卷号: 255, 期号: 22, 页码: 9015 Guo, DH; Xue, MS; Guo, QL; Wu, KH; Guo, JD; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/24 ENERGY-LOSS-SPECTROSCOPY  RESOLVED PHOTOEMISSION-SPECTROSCOPY  SINGLE-CRYSTALLINE ZNO  X-RAY PHOTOEMISSION  MGO BUFFER LAYER  ELECTRONIC-STRUCTURE  GROWTH  SURFACE  SAPPHIRE  ZINC   Atomistic study of GaN surface grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 3 Wang, ZT; Yamada-Takamura, Y; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  INVERSION DOMAINS  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  HETEROEPITAXIAL GROWTH  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYER  POLARITY  RECONSTRUCTIONS  MORPHOLOGY   Determination of a misfit dislocation complex in SiGe/Si heterostructures by image deconvolution technique in HREM 期刊论文  OAI收割 ULTRAMICROSCOPY, 2004, 卷号: 98, 期号: 2-4, 页码: 259 Wang, D; Zou, J; He, WZ; Chen, H; Li, FH; Kawasaki, K; Oikawa, T 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/09/17 RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY  SINGLE HETEROSTRUCTURES  FOCUS-VARIATION  BUFFER LAYER  RECONSTRUCTION  DENSITY  STRAIN  SI   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974 Han, PD; Wang, ZG; Duan, XF; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  BUFFER LAYER  GROWN GAN  DEPOSITION  MORPHOLOGY  QUALITY  ZNO   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：85/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  BUFFER LAYER  GROWN GAN  DEPOSITION  MORPHOLOGY  QUALITY  ZNO   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484 Wang, LS; Liu, XL; Zan, YD; Wang, D; Lu, DC; Wang, ZG; Wang, YT; Cheng, LS; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY