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内容类型

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发表日期

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The nucleation and growth mechanism of Ni-Sn eutectic in a single crystal superalloy 期刊论文  OAI收割 ELSEVIER SCIENCE BV, 2017, 卷号: 479, 页码: 75-82 作者:  Jiang, Weiguo;  Wang, Li;  Li, Xiangwei;  Lou, Langhong;  Jiang, WG (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.   |  收藏  |  浏览/下载：223/0  |  提交时间：2018/01/10 Crystal Structure  Growth From Melt  Solid Phase Epitaxy  Alloys   Microstructure of beta-FeSi2 film synthesized by ion implantation 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2002, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 115 Li, XN; Nie, D; Dong, CA; Ma, TC; Jin, X; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/18 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  SOLID-PHASE EPITAXY  SEMICONDUCTING FESI2  BEAM SYNTHESIS  THIN-FILMS  DISILICIDE  SI(001)  SILICON  LAYERS   The effects of pre-irradiation on the formation of Si1-xCx alloys 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2001, 卷号: 50, 页码: 1329-1333 作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Wang, YB;  Wang, YT;  Sun, GS   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/05/31 ion implantation  solid phase epitaxy  Si1-xCx alloy   The effects of pre-irradiation on the formation of si1-xcx alloys 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1329-1333 作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Wang, YB;  Wang, YT;  Sun, GS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Ion implantation  Solid phase epitaxy  Si1-xcx alloy   The effects of pre-irradiation on the formation of Si1-xCx alloys 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1329-1333 Wang YS; Li JM; Wang YB; Wang YT; Sun GS; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：88/9  |  提交时间：2010/08/12 ion implantation  solid phase epitaxy  Si1-xCx alloy  SI  IMPLANTATION  CARBON   The formation and characteristics of Si1-xCx alloys in Si crystals by means of implantation of cions with different doses 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2000, 卷号: 49, 页码: 2210-2213 作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Jin, YF;  Wang, YT;  Lin, LY   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/05/31 Si1-xCx alloy  ion implantation  solid phase epitaxy   The formation and characteristics of si1-xcx alloys in si crystals by means of implantation of cions with different doses 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210-2213 作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Jin, YF;  Wang, YT;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Si1-xcx alloy  Ion implantation  Solid phase epitaxy   Improvement of thin silicon on sapphire (sos) film materials and device performances by solid phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 189-192 作者:  Wang, QY;  Nie, JP;  Yu, F;  Liu, ZL;  Yu, YH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Solid phase epitaxy  Silicon on sapphire (sos)  Carrier mobility   The formation and characteristics of Si1-xCx alloys in Si crystals bymeans of implantation of cions with different doses 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210-2213 Wang; YS; Li; JMJin; YFWang; YTLin   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/08/26 Si1-xcx Alloy  Ion implantatIon  Solid Phase Epitaxy   Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 189-192 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 solid phase epitaxy  silicon on sapphire (SOS)  carrier mobility