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• 期刊论文 [17]
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• 学位论文 [1]

发表日期

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 758-760 Yu, W; Zhang, B; Zhao, QT; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Mussler, G; Fox, A; Bourdelle, KK; Wang, X; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/04/17 Hole mobility  quantum well (QW)  SiGe  strained Si (sSi)   Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si0.5Ge0.5 source 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2012, 卷号: 74, 页码: 97-101 Zhao, QT; Yu, WJ; Zhang, B; Schmidt, M; Richter, S; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Fox, A; Bourdelle, KK; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/04/17 Tunnel FET  Strained Si  Subthreshold swing  SiGe   低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2010 马小波 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2012/03/06 低温等离子体键合  绝缘体上的硅（SOI）  绝缘体上锗硅（SGOI）  绝 缘体上的锗（GeOI）  应变硅（strained Si）   Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 卷号: 255, 期号: 17, 页码: 7743-7748 Ma, XB; Liu, WL; Chen, C; Du, XF; Liu, XY; Song, ZT; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 STRAINED SI  MOBILITY  DEVICES  LAYERS   Thermal annealing effects on the structure and electrical properties of Al2O3 gate dielectrics on fully depleted SiGe on insulator 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2006, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 1151-1155 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Shen, QW; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  ATOMIC-LAYER DEPOSITION  INTERFACIAL CHARACTERISTICS  STRAINED-SI  THIN-FILMS  ULTRATHIN  SILICON  HETEROSTRUCTURE  OXIDATION  CHANNEL   Interfacial characteristics of fully depleted SiGe-on-insulator (SGOI) substrate fabricated by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: L31-L35 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Lin, Q; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  DIFFUSION  OXIDATION  GERMANIUM  SILICON  ALLOYS   Fabrication of SGOI material by oxidation of an epitaxial SiGe layer on an SOI wafer with H ions implantation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2005, 卷号: 234, 期号: 3, 页码: 243-248 Cheng,XL; Chen,ZJ; Wang,YJ; Jin,B; Zhang,F; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  HIGH-GE FRACTION  STRAINED-SI  INSULATOR SUBSTRATE  N-MOSFETS  ELECTRON  ULTRATHIN   Germanium movement mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 64504-64504 Di, ZF; Chu, PK; Zhang, M; Liu, WL; Song, ZT; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2012/03/24 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STRAINED-SI  MOBILITY ENHANCEMENT  OXIDATION  ELECTRON   Relaxed SiGe-on-insulator fabricated by dry oxidation of sandwiched Si/SiGe/Si structure 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 124, 页码: 153-157 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Zhu, M; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STRAINED-SI  LAYER TRANSFER  N-MOSFETS  GERMANIUM  STABILITY  SUBSTRATE  EPITAXY  ALLOYS   Fabrication and mechanism of relaxed SiGe-on-insulator by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2005, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1637-1640 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Huang, AP; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  OXIDATION BEHAVIOR  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  GERMANIUM  SUBSTRATE  ELECTRON  ISLANDS