机构

• 微电子研究所 [6]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2008 [2]
• 2004 [2]
• 2001 [1]
• 2000 [2]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 T形栅In0．52Al0．48As／In0．6Ga0．4As MHEMTs功率器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 4，2331-2334 作者:  黎明;  张海英;  徐静波;  付晓君   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/05/27 Mhemt  Inalas／ingaas 功率特性  T型栅  功率器件   200nm栅长In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 3，1679-1681 作者:  黎明;  张海英;  徐静波;  付晓君   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/27 Mhemt  Inaias/ingaas  电子束光刻  T型栅   用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 358-360 作者:  孙加兴;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/05/26 X射线光刻  Phemt  T型栅  三层胶工艺   用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 期号: 3, 页码: 358-360 作者:  孙加兴;  叶甜春;  陈大鹏;  谢常青;  伊福廷 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/12/25 X射线光刻  PHEMT  T型栅  三层胶工艺   全新深亚微米X射线T型栅工艺 期刊论文  OAI收割 北京同步辐射装置年报, 2001, 期号: 1, 页码: 3，142-144 作者:  韩勇;  彭良强;  谢常青;  陈大鹏;  孙加兴   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/25 Gaas  半导体材料  亚微米x射线t型栅工艺  制造  半导体器件  X射线光刻  同步辐射  砷化镓   深亚微米栅HFET器件工艺研究 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 4，193-196 作者:  和致经;  郑英奎   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/05/25 混合曝光  Hfet  T型栅  工艺研究  深亚微米栅   0.1—0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 4，182-185 作者:  叶甜春;  张绵   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/25 X射线光刻  Phemt  T型栅  Gaas器件制作