机构

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采集方式

• OAI收割 [18]

内容类型

• 期刊论文 [16]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2018 [1]
• 2010 [1]
• 2008 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [2]
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学科主题

• 半导体材料 [7]
• 半导体器件 [1]

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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Molecular gated-AlGaNGaN high electron mobility transistor for pH detection 期刊论文  OAI收割 Analyst, 2018, 卷号: 143, 期号: 12, 页码: 2784-2789 作者:  Ding, X. Z.;  Yang, S.;  Miao, B.;  Gu, L.;  Gu, Z. Q.   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/09/17 field-effect transistors  gan surfaces  sensors  ion  deposition  stability  insulator  films  acid  Chemistry   Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on gamma-LiAlO2 (302) substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2010, 卷号: 257, 期号: 4, 页码: 1181-1184 作者:  Qiu YX (邱永鑫);  Huang J (黄俊);  Xu K (徐科) 收藏  |  浏览/下载：192/63  |  提交时间：2011/03/13 Semiconductors  Thin films  Surfaces  Luminescence  Nonpolar  GaN   First-principles calculations of ethanethiol adsorption and decomposition on GaN (0001) surface 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2008, 卷号: 254, 期号: 20, 页码: 6514-6520 C. L. Hu; Y. Chen; J. Q. Li and Y. F. Zhang 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/01/22 GaN (0001) surface  ethanethiol  DFT  adsorption  packing structure  thermal decomposition  self-assembled monolayers  bare semiconductor surfaces  density-functional theory  au(111)  molecules  chemisorption  interface  sulfur  energy   Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Xiao, HL; Yang, CB; Wang, JX; Wang, BZ; Ran, JX; Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：91/8  |  提交时间：2010/03/08 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TRANSISTORS  TEMPERATURE  SURFACES  PT/GAN  GROWTH  PD/GAN  MOCVD   Experiments and their analysis for self-assembly growth of GaN quantum dots via MOCVD 期刊论文  OAI收割 rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 1849-1853 Meng T; Zhu XF; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：316/9  |  提交时间：2010/04/11 GaN based quantum dots  self-assembly  S-K mode  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  OPTICAL-PROPERTIES  ALGAN SURFACES   Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth 期刊论文  OAI收割 PHYSICS-USPEKHI, 2004, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 371 Bakhtizin, RZ; Xue, QZ; Xue, QK; Wu, KH; Sakurai, T 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION  COVERED GAN(0001) SURFACES  LIGHT-EMITTING DIODES  CUBIC GAN  ATOMIC-STRUCTURE  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  LATTICE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  SILICON-CARBIDE   Ce/GaN(0001) interfacial formation and electronic properties 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 943 Xiao, WD; Guo, QL; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/17 METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE  WURTZITE GAN SURFACES  SCHOTTKY CONTACTS  BARRIER HEIGHTS  GROWTH  FILMS  GAN(0001)-(1X1)  SI(111)  STATES  CE   Gd on GaN(0001) surface: Growth, interaction, and Fermi level movement 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4847 Xiao, WD; Guo, QL; Xue, QK; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/17 WURTZITE GAN SURFACES  ELECTRONIC-PROPERTIES  SCHOTTKY CONTACTS  BARRIER HEIGHTS  INTERFACE  FILMS  OXYGEN  STATES   A novel method to realize InGaN self-assembled quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2003, 卷号: 57, 期号: 26-27, 页码: 4218 Ji, LW; Su, YK; Chang, SJ; Wu, LW; Fang, TH; Xue, QK; Lai, WC; Chiou, YZ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  WELL BLUE  GAN  SURFACES  GROWTH  EMISSION  SI   Growth of nanoscale InGaN self-assembled quantum dots 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 144 Ji, LW; Su, YK; Chang, SJ; Wu, LW; Fang, TH; Chen, JF; Tsai, TY; Xue, QK; Chen, SC 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN  SURFACES  DIODES