机构

• 半导体研究所 [18]
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• 上海微系统与信息技术... [3]
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采集方式

• OAI收割 [22]
• iSwitch采集 [6]

内容类型

• 期刊论文 [23]
• 会议论文 [5]

发表日期

• 2007 [2]
• 2006 [1]
• 2005 [2]
• 2003 [3]
• 2002 [8]
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学科主题

• 半导体材料 [6]
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• Physics, A... [3]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共28条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Thermally induced fe atom transition from substitutional to interstitial sites in inp and its influence on material property 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541 作者:  Zhao You-Wen;  Miao Shan-Shan;  Dong Zhi-Yuan;  Lue Xiao-Hong;  Deng Ai-Hong 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Fe activation  Annealing  Semi-insulating   Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating inp materials 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1167-1171 作者:  Yang Jun;  Zhao You-Wen;  Dong Zhi-Yuan;  Deng Ai-Hong;  Miao Shan-Shan 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Inp  Semi-insulating  Deep level  Electric compensation   Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects 期刊论文  OAI收割 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 75-77 Zhao YW; Dong ZY; Duan ML; Sun WR; Yang ZX 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  semi-insualting  STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY  CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY  SEMI-INSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FE   Approach for defect suppression and preparation of high quality semi-insulating inp 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 275, 期号: 1-2, 页码: E381-e385 作者:  Zhao, Y. W.;  Dong, Z. Y.;  Li, Ch. J. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Point defects  Liquid encapsulated czochralski  Indium phosphide  Semi-insulating iii-v materials   Approach for defect suppression and preparation of high quality semi-insulating InP 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 275, 期号: 1-2, 页码: E381-E385 作者:  Zhao, Y. W.;  Dong, Z. Y.;  Li, Ch. J.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 Point defects  Liquid encapsulated Czochralski  Indium phosphide  Semi-insulating III-V materials   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Li, JM   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/02/02 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Li, JM   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 Dong HW; Zhao YW; Li JM 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating inp wafers 期刊论文  iSwitch采集 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524 作者:  Zhao, YW;  Sun, NF;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Semi-insulating  Annealing  Picts  Photoluminescence   Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524 作者:  Zhao, YW;  Sun, NF;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02 indium phosphide  semi-insulating  annealing  PICTS  photoluminescence