机构

• 半导体研究所 [14]
• 金属研究所 [4]
• 物理研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [20]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [21]

发表日期

• 2012 [1]
• 2011 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [5]
• 半导体物理 [5]
• 光电子学 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Carbon nanotubes prepared by anodic aluminum oxide template method 期刊论文  OAI收割 Chinese Science Bulletin, 2012, 卷号: 57, 期号: 2-3, 页码: 187-204 P. X. Hou; C. Liu; C. Shi; H. M. Cheng 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/02/05 carbon nanotubes (CNTs)  anodic aluminum oxide (AAO) template method  controllability  nano-test-tubes  fischer-tropsch synthesis  double coaxial structure  nanoporous alumina  acid-solution  one-step  catalytic decomposition  carbonization method  metal nanoparticles  undoped multiwalls   Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016 Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：69/10  |  提交时间：2011/07/05 UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE  SELF-DIFFUSION  NATIVE DEFECTS  N-TYPE  CRYSTALS  CATHODOLUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  LUMINESCENCE   Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN? 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Liang, JW; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：61/5  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917 作者:  Jiang DS;  Zhu JJ;  Li XY;  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS   DMRG studies on properties of undoped and doped molecule-based ferromagnetic chain 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 2005, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 1099-1102 K. L. Yao; Y. Qin; Q. M. Liu; Z. L. Liu 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/14 DMRG  antiferromagnetic exchange  SDW  spin density  undoped  doped  matrix renormalization-group  nitrophenyl nitronyl nitroxide  system   C and Si ion implantation and the origins of yellow luminescence in GaN 期刊论文  OAI收割 Applied Physics a-Materials Science & Processing, 2004, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 139-142 L. Dai; G. Z. Ran; J. C. Zhang; X. F. Duan; W. C. Lian; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/14 detected magnetic-resonance  vapor-phase epitaxy  undoped gan  photoluminescence  vacancies  nitrides   Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type gaas surface studied by photoreflectance 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin, P;  Pan, SH;  Li, YG;  Zhang, CZ;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Sulfur passivation  Franz-keldysh oscillations  Undoped-n(+) type gaas  Complex fourier transformation   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215 Dong, HW; Zhao, YW; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/17 SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 Dong HW; Zhao YW; Li JM 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE