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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Construction of hierarchically porous metal-organic frameworks via vapor atmosphere etching 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA-MATERIALS, 2022, 页码: 7 作者:  Zhai, Xu;  Cao, Tianlong;  Lu, Xingyu;  Gao, Ningjie;  Li, Linlin   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2022/07/14 metal-organic frameworks  vapor etching  nerve agent degradation  HP-MOFs   Growth and Etching of Monolayer Hexagonal Boron Nitride 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2015, 卷号: 27, 期号: 33, 页码: 4858-4864 作者:  Wang, Lifeng;  Wu, Bin;  Jiang, Lili;  Chen, Jisi;  Li, Yongtao 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2015/10/26 chemical vapor deposition  diffusion  growth and etching  hexagonal boron nitride   Direct Top-Down Fabrication of Large-Area Graphene Arrays by an In Situ Etching Method 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2015, 卷号: 27, 期号: 28, 页码: 4195-4199 作者:  Geng, Dechao;  Wang, Huaping;  Wan, Yu;  Xu, Zhiping;  Luo, Birong 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/10/27 chemical vapor deposition  graphene arrays  in situ etching  liquid Cu  top-down approach   Governing Rule for Dynamic Formation of Grain Boundaries in Grown Graphene 期刊论文  OAI收割 ACS NANO, 2015, 卷号: 9, 期号: 6, 页码: 5792-5798 作者:  Guo, Wei;  Wu, Bin;  Li, Yongtao;  Wang, Lifeng;  Chen, Jisi 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2015/10/28 grain boundaries  graphene  dynamic formation  chemical vapor deposition  anisotropic etching   Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 372, 期号: 0, 页码: 43-48 作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, K(徐科);  Su, XJ(苏旭军);  Yang, H(杨辉);  Zhou, TF(周桃飞) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2014/01/12 Defects  Etching  Hydride vapor phase epitaxy  Nitrides   Polarity dependent structure and optical properties of freestanding GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, Materials Science in Semiconductor Processing, 2011, 2011 作者:  Hu, Qiang;  Wei, Tongbo;  Duan, Ruifei;  Yang, Jiankun;  Huo, Ziqiang   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2012/06/14 Carrier concentration  Etching  Gallium alloys  Optical properties  Point defects  Raman spectroscopy  Semiconducting gallium compounds  Vapor phase epitaxy  Vapors  Carrier Concentration  Etching  Gallium Alloys  Optical Properties  Point Defects  Raman Spectroscopy  Semiconducting Gallium Compounds  Vapor Phase Epitaxy  Vapors   Improvement in the Quality of ZnTe Epilayers Grown on GaAs Substrates by Introducing a Low-Temperature Buffer Layer 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 80208-80208 Guo, QX; Sueyasu, Y; Tanaka, T; Nishio, M; Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/11/03 VAPOR-PHASE EPITAXY  DRY-ETCHING PROCESSES  P-TYPE ZNTE  SURFACE-MORPHOLOGY  OPTICAL-PROPERTIES  ZINC TELLURIDE  FABRICATION  STRAIN   Diameter-selective growth of single-walled carbon nanotubes with high quality by floating catalyst method 期刊论文  OAI收割 Acs Nano, 2008, 卷号: 2, 期号: 8, 页码: 1722-1728 Q. F. Liu; W. C. Ren; Z. G. Chen; D. W. Wang; B. L. Liu; B. Yu; F. Li; H. T. Cong; H. M. Cheng 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/04/13 carbon nanotubes  diameter  hydrogen  etching  floating catalyst  cobalt-incorporated mcm-41  chemical-vapor-deposition  separation  hydrogen  hydrocarbons  spectroscopy  enrichment  route   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown gan using selective etching 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Feng, G;  Zheng, XH;  Fu, Y;  Zhu, JJ;  Shen, XM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Etching  Metalorganic vapor-phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting iii-v materials   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  etching  metalorganic vapor-phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  DISLOCATIONS  DENSITY  GROWTH  LAYERS