机构

• 半导体研究所 [4]
• 金属研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2003 [2]
• 2000 [2]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：95/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS   Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343 Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：159/21  |  提交时间：2010/08/17 Valence band offset  w-InN/h-BN heterojunction  X-ray photoelectron spectroscopy  Conduction band offset  Valence band offset  NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY  INDIUM NITRIDE  WURTZITE GAN  SURFACE  FILM  ALN  TRANSPORT  EMISSION  NAXWO3  GROWTH   Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553 Munoz M; Huang YS; Pollak FH; Yang H 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HEXAGONAL GAN  TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  TRANSITIONS  GROWTH  GAIN  ALN  ELLIPSOMETRY  WURTZITE   Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：1054/2  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN-SCATTERING  ALPHA-GAN  ALN  LAYERS  STRAIN  WURTZITE  FILMS   A theoretical study on various models for the domain boundaries in epitaxial GaN films 期刊论文  OAI收割 Applied Physics a-Materials Science & Processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 475-480 S. Q. Wang; Y. M. Wang; H. Q. Ye 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/14 molecular-beam epitaxy  defect structure  wurtzite gan  mocvd  aln   Blue emission and Raman scattering spectrum from AlN nanocrystalline powders 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 198-202 Y. G. Cao; X. L. Chen; Y. C. Lan; J. Y. Li; Y. P. Xu; T. Xu; Q. L. Liu; J. K. Liang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/14 wurtzite AlN  photoluminescence spectrum  Raman scattering spectrum  photoluminescence properties  gan  defects   Low-temperature synthesis and photoluminescence of AlN 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 1999, 卷号: 207, 期号: 3, 页码: 247-250 Y. C. Lan; X. L. Chen; Y. G. Cao; Y. P. Xu; L. D. Xun; T. Xu; J. K. Liang 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/04/14 wurtzite AlN  synthesis  PL spectrum  band-gap  nitride  growth  ain