机构

• 半导体研究所 [22]

采集方式

• OAI收割 [22]

内容类型

• 期刊论文 [19]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2000 [22]

学科主题

• 半导体材料 [22]

筛选

浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photoluminescence in Si and Be directly doped self-organized InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 35-38 Wang HL; Yang FH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 dopant  InAs/GaAs  self-organized quantum dots  MBE  PL  INFRARED-ABSORPTION  INAS ISLANDS  GROWTH  GAAS   The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in InAs/In0.53Ga0.47As multilayer on InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/In0.53Ga0.47As multilayer  InP substrate  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INAS ISLANDS  GROWTH  MATRIX  GAAS   The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index InP substrate  In(Ca)As nanostructures  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  ORIENTED GAAS  OPTICAL CHARACTERIZATION  ISLANDS   Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:   收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  high index  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAINED ISLANDS  GAAS  ORGANIZATION  INP(001)  LASERS  INGAAS  LAYER   Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794 Zhuang QD; Li JM; Wang XX; Zeng YP; Wang YT; Wang BQ; Pan L; Wu J; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  annealing  X-ray  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INFRARED PHOTODETECTORS  STRAIN RELAXATION  LUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  DEPENDENCE  ABSORPTION  THRESHOLD  OPERATION  ISLANDS   Strong temperature dependence of photoluminescence properties in visible InAlAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 51-55 Liu BL; Xu ZY; Liu HY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 InAlAs/AlGaAs  quantum dots  photoluminescence  time-resolved photoluminescence  LIFETIME   Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 Wang XD; Niu ZC; Wang H; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  low-temperature GaAs  As precipitates  annealing  TEM  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ISLANDS  GROWTH  SURFACES   Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 356-359 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 rapid thermal annealing  InGaAs/GaAs  quantum dots  molecular beam epitaxy  LUMINESCENCE  FABRICATION  GAAS(100)  INTERFACE  LASER  LAYER   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   1.35 mu m photoluminescence from In0.5Ga0.5As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)(1)/(GaAs)(1) monolayer deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 16-22 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  AFM  PL  quantum islands  InGaAs/GaAs  strain  QUANTUM DOTS  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  LUMINESCENCE