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• 微电子研究所 [19]

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures 期刊论文  OAI收割 Chin. Phys. B, 2018 作者:  Liu XY(刘新宇);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹);  Chen H(陈宏)   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/04/19 Development of MEMS IR source by compound release process with nano-scale silicon forest radiation layer 会议论文  OAI收割 作者:  Sun XL(孙西龙);  Chen DP(陈大鹏);  Wang WB(王玮冰);  Mao HY(毛海央);  Yang CY(杨成樾)   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/05/18 Formaldehyde gas sensor based on TiO2 thin membrane integrated with nano silicon structure 期刊论文  OAI收割 OPTOELECTRONICS LETTERS, 2016 作者:  Ye L(叶丽);  Zheng X(郑轩);  Ming AJ(明安杰);  Chen FH(陈风华);  Sun XL(孙西龙)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/08 Research of periodic amorphous carbon composite films for MEMS IR source fabricated by magnetron sputtering 会议论文  OAI收割 作者:  Ming AJ(明安杰);  Sun XL(孙西龙);  Wang WB(王玮冰);  Liu WB(刘卫兵);  Chen DP(陈大鹏)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/18 CMOS MEMS INFRARED SOURCE BASED ON BLACK SILICON 会议论文  OAI收割 作者:  Chen DP(陈大鹏);  Wang WB(王玮冰);  Sun XL(孙西龙);  Liu WB(刘卫兵);  Ming AJ(明安杰)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/18 Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device 期刊论文  OAI收割 Solid-State Electronics, 2016 作者:  Xu GB(许高博);  Zhou HJ(周华杰);  Zhu HL(朱慧珑);  Liu JB(刘金彪);  Wang Y(王垚)   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/05/09 Ultra Low Power Full Digital Body Temperature Sensor Operating in Sub-threshold Regime 期刊论文  OAI收割 Sensing and Imaging, 2015 作者:  Wu YP(吴玉平);  Zhang XL(张学连);  Chen L(陈岚)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/02 Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2015 作者:  Zhao ZG(赵治国);  Luo J(罗军);  Yang H(杨红);  Meng LK(孟令款);  Hong PZ(洪培真)   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/05/31 The effects of process condition of Top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSCAP with high-k/metal gate stacks 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2014 作者:  Chen DP(陈大鹏);  Ma XL(马雪丽);  Yang H(杨红);  Wang WW(王文武);  Yin HX(殷华湘)   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/05/06 An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2014 作者:  Chen DP(陈大鹏);  Ma XL(马雪丽);  Yang H(杨红);  Wang WW(王文武);  Yin HX(殷华湘)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/05/06