机构

• 微电子研究所 [13]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 会议论文 [7]
• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2018 [8]
• 2017 [3]
• 2016 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation 会议论文  OAI收割 作者:  Li DL(李多力);  Zhu HP(朱慧平);  Chen X(陈曦);  Zheng ZS(郑中山);  Li B(李博)   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/13 Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells 会议论文  OAI收割 作者:  Zhentao Li;  Zheng ZS(郑中山);  Zhao K(赵凯);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊)   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/13 Total dose effect of Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation 期刊论文  OAI收割 Semiconductor Science and Technology, 2018 作者:  Gao JT(高见头);  Li DL(李多力);  Li BH(李彬鸿);  Li B(李博);  Zheng ZS(郑中山)   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/27 Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018 作者:  Han ZS(韩郑生);  Zheng ZS(郑中山);  Li BH(李彬鸿);  Cui Y(崔岩);  Li B(李博)   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/27 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文  OAI收割 作者:  Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山)   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/13 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文  OAI收割 Microelectronics Reliability, 2018 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生)   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/28 An effective method to compensate total ionizing dose-induced degradation on double-SOI structure 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Luo JJ(罗家俊);  Li BH(李彬鸿);  Han ZS(韩郑生);  Zhao X(赵星)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/27 Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018 作者:  Yang L(杨玲);  Zhang QZ(张青竹);  Huang YB(黄云波);  Zheng ZS(郑中山);  Li B(李博)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/28 Roles of the Gate Length and Width of the Transistors in Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM cells 会议论文  OAI收割 作者:  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Zheng ZS(郑中山)   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/07/20 An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure 会议论文  OAI收割 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Li BH(李彬鸿);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Huang Y(黄杨)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/20